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J-GLOBAL ID:202002289402332262   整理番号:20A2088165

TOPO-CdSe/ZnS量子ドットの層により不動態化したハイブリッド構造InP/InAsP/InPナノワイヤのルミネセンス光力学【JST・京大機械翻訳】

Luminescence Photodynamics of Hybrid-Structured InP/InAsP/InP Nanowires Passivated by a Layer of TOPO-CdSe/ZnS Quantum Dots
著者 (12件):
資料名:
巻: 54  号:ページ: 1141-1146  発行年: 2020年 
JST資料番号: T0093A  ISSN: 1063-7826  CODEN: SMICES  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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コロイドCdSe/ZnS量子ドットを含む準Langmuirトリオクチルホスフィンオキシド(TOPO)層で不動態化したInAsPナノインサートを有するInPナノワイヤアレイとして形成したハイブリッド半導体ナノ構造における励起状態の減衰光力学の研究結果を報告した。80と293Kの温度で近赤外領域におけるInAsPナノインサートのルミネセンススペクトルと速度論を記録した。InP/InAsP/InPナノワイヤの表面でのTOPO-CdSe/ZnS量子ドットの層の形成は,放射再結合の持続時間と温度依存性の外観の増加をもたらす。合成構造において,InAsPナノインサートとInPバルクの間の界面にタイプIIヘテロ接合が存在することを確認した。発光の持続時間の増加に及ぼす界面プロセスの影響を論じた。Copyright Pleiades Publishing, Ltd. 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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半導体のルミネセンス 
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