文献

J-GLOBAL ID：202002289558624644   整理番号：20A0969043

AlGaN/GaN/AlNダブルヘテロ構造高Electron移動度トランジスタに及ぼすAlNバッファ層の影響【JST・京大機械翻訳】

The Effect of AlN Buffer Layer on AlGaN/GaN/AlN Double-Heterostructure High-Electron-Mobility Transistor

著者 (8件)： Choi Uiho (Nano-Optical Engineering, Korea Polytechnic University (KPU), Siheung, Gyeonggi, 427-793, Republic of Korea) ,  Jung Donghyeop (Nano-Optical Engineering, Korea Polytechnic University (KPU), Siheung, Gyeonggi, 427-793, Republic of Korea) ,  Lee Kyeongjae (Nano-Optical Engineering, Korea Polytechnic University (KPU), Siheung, Gyeonggi, 427-793, Republic of Korea) ,  Kwak Taemyung (Nano-Optical Engineering, Korea Polytechnic University (KPU), Siheung, Gyeonggi, 427-793, Republic of Korea) ,  Jang Taehoon (Nano-Optical Engineering, Korea Polytechnic University (KPU), Siheung, Gyeonggi, 427-793, Republic of Korea) ,  Nam Yongjun (Nano-Optical Engineering, Korea Polytechnic University (KPU), Siheung, Gyeonggi, 427-793, Republic of Korea) ,  So Byeongchan (Nano-Optical Engineering, Korea Polytechnic University (KPU), Siheung, Gyeonggi, 427-793, Republic of Korea) ,  Nam Okhyun (Nano-Optical Engineering, Korea Polytechnic University (KPU), Siheung, Gyeonggi, 427-793, Republic of Korea)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 217  号： 7  ページ： e1900694  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,AlGaN/GaN/AlN二重ヘテロ構造高電子移動度トランジスタ(DH-HEMT)に及ぼすAlNバッファ層の結晶品質の影響を調べた。AlNバッファの貫通転位密度(TDD)が増加すると,GaNチャネルの材料品質と転位密度や界面粗さのようなAlGaN障壁は劣化し,2D電子ガス(2DEG)移動度は減少する。AlGaN障壁の厚さとAlモル分率は,AlNバッファのTDDに依存するGaNチャネルの歪変化により影響されることも明らかになった。GaNチャネルの圧縮歪の変化は障壁条件と圧電分極電荷に影響することにより2DEG密度変化の原因となる。低温Hall効果測定により,界面粗さ散乱がDH-HEMTの移動度に対する支配的因子であり,約2~6×10~3cm~2(Vs)~1であることを明らかにした。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *移動度 ,  散乱 ,  低温 ,  *トランジスタ ,  *アルミニウム ,  転位密度 ,  圧電気 ,  二次元 ,  *窒化アルミニウム ,  MOCVD ,  HEMT ,  二次元電子ガス ,  *バッファ層
準シソーラス用語： *ヘテロ構造 ,  *窒化アルミニウムガリウム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： AlN結晶品質 ,  二重ヘテロ構造 ,  高電子移動度トランジスタ ,  有機金属化学蒸着

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： AlGaN ,  GaN ,  AlN ,  ヘテロ構造 ,  移動度 ,  トランジスタ ,  バッファ層