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J-GLOBAL ID：202002289830435985   整理番号：20A1072930

低温でシリコン中のホウ素原子を活性化するために用いられるArgon前駆体イオン注入【JST・京大機械翻訳】

Argon Precursor Ion Implantation Used to Activate Boron Atoms in Silicon at Low Temperatures

著者 (4件)： Sameshima Toshiyuki (Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, Tokyo, Japan) ,  Nagao Tomokazu (Nissin Ion Equipment Company, Ltd., Kyoto, Japan) ,  Sekiguchi Erika (Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, Tokyo, Japan) ,  Hasumi Masahiko (Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, Tokyo, Japan)
資料名： IEEE Access  (IEEE Access)
巻： 8  ページ： 72598-72606  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2422A  ISSN： 2169-3536  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 室温での単結晶シリコン中のアルゴン前駆体イオン(Ar+)の二段階注入とそれに続くホウ素イオン(B+)を,300°Cでのポスト加熱と400°Cでのホウ素注入領域を活性化するために議論した。80nmの投影範囲R_p(Ar)で6.0×10~13cm-2の線量でAr+を注入し,62nmのR_p(B)は32nmの効果的無秩序状態をもたらした。一方,30分間の400°Cでの300°Cのポスト加熱はA_effを1.8nmに著しく減少させた。ポスト加熱による効果的再結晶化は,ポスト加熱によるシート抵抗率の189Ω/sqへの減少と関連したドープ領域の活性化を促進した。活性化比は,ホウ素注入領域における50cm~2/Vsの正孔移動度の仮定の下で,0.33と推定された。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 再結晶 ,  *低温 ,  *ケイ素 ,  *ホウ素 ,  *イオン注入 ,  ドーピング ,  放射線量 ,  *前駆体 ,  シート抵抗 ,  単結晶シリコン ,  正孔移動度

分類 (2件)： 音声処理  (JE05000E) ,  CAI  (JE09000G)

タイトルに関連する用語 (7件)： 低温 ,  シリコン ,  ホウ素 ,  原子 ,  活性化 ,  前駆体 ,  イオン注入