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J-GLOBAL ID:202002289830435985   整理番号:20A1072930

低温でシリコン中のホウ素原子を活性化するために用いられるArgon前駆体イオン注入【JST・京大機械翻訳】

Argon Precursor Ion Implantation Used to Activate Boron Atoms in Silicon at Low Temperatures
著者 (4件):
資料名:
巻:ページ: 72598-72606  発行年: 2020年 
JST資料番号: W2422A  ISSN: 2169-3536  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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室温での単結晶シリコン中のアルゴン前駆体イオン(Ar+)の二段階注入とそれに続くホウ素イオン(B+)を,300°Cでのポスト加熱と400°Cでのホウ素注入領域を活性化するために議論した。80nmの投影範囲R_p(Ar)で6.0×10~13cm-2の線量でAr+を注入し,62nmのR_p(B)は32nmの効果的無秩序状態をもたらした。一方,30分間の400°Cでの300°Cのポスト加熱はA_effを1.8nmに著しく減少させた。ポスト加熱による効果的再結晶化は,ポスト加熱によるシート抵抗率の189Ω/sqへの減少と関連したドープ領域の活性化を促進した。活性化比は,ホウ素注入領域における50cm~2/Vsの正孔移動度の仮定の下で,0.33と推定された。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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音声処理  ,  CAI 

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