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J-GLOBAL ID:202002289905765665   整理番号:20A1716263

レーザビームパターン化数層横方向MoS_2Schottky接合のオプトエレクトロニック特性【JST・京大機械翻訳】

Optoelectronic properties of laser-beam-patterned few-layer lateral MoS2 Schottky junctions
著者 (8件):
資料名:
巻: 117  号:ページ: 043101-043101-5  発行年: 2020年 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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原子的に薄い(または数層)二次元遷移金属ジカルコゲン化物(TMDC)材料は,van der Waalsハイブリダイゼーションによるバンドギャップ工学によって,柔軟な太陽電池と光検出器への応用に利点をもたらす様々なユニークな光電子特性を有している。TMDCは2H半導体相および1T(または1T′)金属相のような結晶相構造を有した。最近,電子ビーム(EB)照射を用いて,少数原子層1T-金属/2H-半導体二硫化モリブデン(MoS_2)横方向Schottky接合の生成を実証し,それらのユニークな光電子特性を明らかにした。しかし,1T相は準安定であり,一方,1T′相はより安定であり,種々の応用に有用である。ここでは,EB照射と比較して,より簡単で便利で低コストの方法であるレーザビーム照射により,数層1T′-金属相MoS_2を作製した。逆バイアス電圧領域における数原子層1T′-金属/2H-半導体横方向Schottky接合のユニークな光電子特性,例えば,約0.15eVの有効障壁高さ,高効率光生成比(>20%),および1か月間の劣化のない光照射角度に対する高感度を観測した。これらの特性は,長期信頼性を有する高効率で柔軟で半透明の光検出器と太陽電池への応用に大きな有望性を示す。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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太陽電池 
タイトルに関連する用語 (3件):
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