文献

J-GLOBAL ID：202002290205115331   整理番号：20A2556272

Si(110)/a-SiO_2界面におけるドーパントトラップ準位と濃度の第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

First-principles study of dopant trap level and concentration in Si(110)/a-SiO₂ interface

著者 (6件)： Kang Gijae (DIT center Samsung Electronics,Hwasungsi,Gyeonggi-do,South korea) ,  Jeon Joohyun (DIT center Samsung Electronics,Hwasungsi,Gyeonggi-do,South korea) ,  Kim Junsoo (Semiconductor R&D center Samsung Electronics,Hwasungsi,Gyeonggi-do,South korea) ,  Ahn Hyoshin (DIT center Samsung Electronics,Hwasungsi,Gyeonggi-do,South korea) ,  Jang Inkook (DIT center Samsung Electronics,Hwasungsi,Gyeonggi-do,South korea) ,  Kim Daesin (DIT center Samsung Electronics,Hwasungsi,Gyeonggi-do,South korea)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： SISPAD  ページ： 19-21  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ドーパントトラップ準位とSi(110)/a-SiO_22界面の平衡濃度を,広範囲のドーパント(B,C,N,Br,Cl,F,H)と調べた。固有および外因性欠陥の電子および原子特性を第一原理計算を用いて解析した。ドーパントの電気陰性度が増加するにつれて,正孔と電子に対する平均トラップ準位が増加することが示された。また,界面におけるドーパント濃度の関数として活性トラップの平衡濃度を評価するために簡単な熱力学モデルを適用した。このモデルから,HとFはSiの固有のPb中心を完全に不動態化し,トラップ濃度を低下させるが,他の元素,特にN,BrとClは,既存のPb中心よりも数倍多い新しいトラップ状態を誘起することが分かった。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *界面 ,  正孔 ,  鉛 ,  塩素 ,  *ケイ素 ,  不動態化 ,  電気陰性度 ,  熱力学模型 ,  *ドーパント ,  第一原理
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  平衡濃度 ,  *トラップ準位 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  界面 ,  ドーパント ,  トラップ準位 ,  第一原理 ,  研究