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J-GLOBAL ID：202002290936324633   整理番号：20A2207174

抵抗ランダムアクセスメモリ応用のためのグラフェンバンドエンジニアリング【JST・京大機械翻訳】

Graphene band engineering for resistive random-access memory application

著者 (6件)： Koohzadi Pooria (Department of Electrical Engineering, Urmia University, 57157, Urmia, Iran) ,  Ahmadi Mohammad Taghi (Division of Computational Physics, Institute for Computational Science, Ton Duc Thang University, Ho Chi Minh City, Vietnam) ,  Ahmadi Mohammad Taghi (Faculty of Electrical and Electronics Engineering, Ton Duc Thang University, Ho Chi Minh City, Vietnam) ,  Karamdel Javad (Department of Electrical Engineering, South Tehran Branch, Islamic Azad University, Tehran, Iran) ,  Nguyen Truong Khang (Division of Computational Physics, Institute for Computational Science, Ton Duc Thang University, Ho Chi Minh City, Vietnam) ,  Nguyen Truong Khang (Faculty of Electrical and Electronics Engineering, Ton Duc Thang University, Ho Chi Minh City, Vietnam)
資料名： International Journal of Modern Physics B. Condensed Matter Physics, Statiscal Physics, Applied Physics  (International Journal of Modern Physics B. Condensed Matter Physics, Statiscal Physics, Applied Physics)
巻： 34  号： 18  ページ： 2050171  発行年： 2020年 
JST資料番号： T0396A  ISSN： 0217-9792  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： シンガポール (SGP)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 記憶技術は,より少ないコストでより多くのデータを貯蔵する新しいメモリを約束する。一方,シリコンベースチップのスケーリングはその物理的限界に近づいた。抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)のような不揮発性メモリ技術は,この問題を解決する試みである。RRAMデバイスにおける基礎研究は,さらに移動する必要がある。この点に関して,RRAMの伝導機構は,この研究において集中した。RRAMコンダクタンスは誘電体層に用いた材料および電極の選択に依存してかなり変化した。コンダクタンス機構を定式化するために,酸化グラフェン(GO)シートのような顕著な導電性を有する新しい材料を研究者によって採用した。GOベースのRRAMでは,sp3混成酸素官能基(ヒドロキシル)の存在によるGOの原初は,デバイスの電気的絶縁層をもたらす。しかし,電圧を印加することによって,導電性経路をグラフェンへのGO層のレドックスで形成することができた。この現象は,sp3のsp2酸素官能基への変換により説明できるRRAMセットプロセスとして知られているが,これはRRAMをON状態に移動させる。また,本論文では,非縮退モードにおける電圧によるON状態抵抗の変化を記述し,縮退変化によるリセットプロセスを報告した。Copyright 2020 World Scientific Publishing Company All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *記憶装置 ,  電圧 ,  誘電体 ,  ケイ素 ,  酸化還元反応 ,  不揮発性メモリ ,  縮退 ,  定式化 ,  コンダクタンス ,  導電性 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 官能基 ,  *ReRAM ,  酸化グラフェン ,  伝導機構 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 酸化グラフェン ,  バンドギャップエネルギー ,  ヒドロキシル基 ,  吸収エネルギー ,  ハミルトニアン領域

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (2件)： 抵抗ランダムアクセスメモリ ,  応用