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J-GLOBAL ID：202002291155103297   整理番号：20A1884560

ヘテロトンネル接合を有する二層トンネル電界効果トランジスタのためのソースエンジニアリング:厚さと不純物濃度

Source engineering for bilayer tunnel field-effect transistor with hetero tunnel junction: thickness and impurity concentration

著者 (7件)： Kato Kimihiko (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Ibaraki 305-8560, Japan) ,  Kato Kimihiko (Department of Electrical Engineering and Information Systems, University of Tokyo, Bunkyo, Tokyo 113-8656, Japan) ,  Mori Takahiro (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Ibaraki 305-8560, Japan) ,  Morita Yukinori (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Ibaraki 305-8560, Japan) ,  Matsukawa Takashi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Ibaraki 305-8560, Japan) ,  Takenaka Mitsuru (Department of Electrical Engineering and Information Systems, University of Tokyo, Bunkyo, Tokyo 113-8656, Japan) ,  Takagi Shinichi (Department of Electrical Engineering and Information Systems, University of Tokyo, Bunkyo, Tokyo 113-8656, Japan)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 13  号： 7  ページ： 074004 (5pp)  発行年： 2020年07月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電気特性に及ぼす薄膜ヘテロトンネル接合を有する二層トンネル電界効果トランジスタにおけるソース層厚さ,ソース不純物濃度およびチャネル厚さの影響を調べた。デバイスシミュレーションは,ソース層の薄化がトンネル接合上の不均一バンド対バンドトンネリングによりオン状態電流(I_on)を著しく劣化させ,一方チャネル層薄化はI_onを増加させるのに有効であることを明らかにした。一方,約3×10¹⁸cm^-3のソース/チャネル不純物濃度は,高いI_on/I_off,およびV_dの変化に伴う移動特性シフトの抑制に対して最適であることを見いだした。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： トンネル接合 ,  *FET【トランジスタ】 ,  工学 ,  *ソース【半導体】 ,  *層厚 ,  *不純物濃度 ,  チャネル ,  計算機シミュレーション ,  トンネル効果 ,  バンド間トンネリング ,  計算機利用 ,  利用
準シソーラス用語： ヘテロトンネル接合 ,  *トンネル電界効果トランジスタ ,  エンジニアリング ,  デバイスシミュレーション ,  オン電流

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 二層 ,  トンネル電界効果トランジスタ ,  ソース ,  エンジニアリング ,  不純物濃度