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J-GLOBAL ID:202002291169683886   整理番号:20A0288347

アニールしたスパッタAlNによるナノパターン化サファイア基板上のAlN膜のMOVPE成長【JST・京大機械翻訳】

MOVPE growth of AlN films on nano-patterned sapphire substrates with annealed sputtered AlN
著者 (6件):
資料名:
巻: 532  ページ: Null  発行年: 2020年 
JST資料番号: B0942A  ISSN: 0022-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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低転位密度で平坦な表面を持つAlN膜を,初期層として面から面へアニールしたスパッタAlN(FFA Sp-AlN)を持つナノパターン化サファイア基板(NPSSs)上に有機金属気相エピタクシー(MOVPE)により成長させた。透過型電子顕微鏡(TEM),原子間力顕微鏡(AFM)およびX線ロッキング曲線(XRC)測定により,AlN層の転位消滅機構および合体を研究した。断面TEM画像から,合体厚さは1.2μmであることが得られた。この厚さは,FFA Sp-AlNを含まないNPSS上のMOVPE成長AlN膜よりも薄かった。AFM画像は原子的に平坦な表面が3μm以上の厚さの試料から得られることを明らかにした。半最大値でのXRC全幅から,FFA Sp-AlN/NPSS上の5μm厚AlN膜のスクリューおよびエッジ転位密度は,それぞれ,4×10~7cm~2および6×10~8cm-2と計算された。このエッジ転位密度,すなわち,支配的な貫通転位密度は,FFA Sp-AlN/フラットサファイア基板(FSS)上に成長させたAlN膜のそれとほぼ同じである。これらの結果は,FFA Sp-AlNが高結晶質AlN膜を成長させるための方法として,FSSsだけでなくNPSSsにも適用できることを示している。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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半導体薄膜 

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