文献

J-GLOBAL ID：202002291246559089   整理番号：20A0656887

ホウ素単分子層ドーピング:ナノスケールにおける酸化物キャッピング層,分子フラグメンテーションおよびドーピング均一性の役割【JST・京大機械翻訳】

Boron Monolayer Doping: Role of Oxide Capping Layer, Molecular Fragmentation, and Doping Uniformity at the Nanoscale

著者 (7件)： Tzaguy Avra (Institute of Chemistry and The Center for Nanoscience and Nanotechnology, The Hebrew University of Jerusalem, Edmond J. Safra Campus, Givat Ram Jerusalem, 91904, Israel) ,  Karadan Prajith (Institute of Chemistry and The Center for Nanoscience and Nanotechnology, The Hebrew University of Jerusalem, Edmond J. Safra Campus, Givat Ram Jerusalem, 91904, Israel) ,  Killi Krushnamurty (Institute of Chemistry and The Center for Nanoscience and Nanotechnology, The Hebrew University of Jerusalem, Edmond J. Safra Campus, Givat Ram Jerusalem, 91904, Israel) ,  Hazut Ori (Institute of Chemistry and The Center for Nanoscience and Nanotechnology, The Hebrew University of Jerusalem, Edmond J. Safra Campus, Givat Ram Jerusalem, 91904, Israel) ,  Amit Iddo (Department of Physical Electronics-School of Electrical Engineering, Tel Aviv University, Ramat Aviv, 69978, Israel) ,  Rosenwaks Yossi (Department of Physical Electronics-School of Electrical Engineering, Tel Aviv University, Ramat Aviv, 69978, Israel) ,  Yerushalmi Roie (Institute of Chemistry and The Center for Nanoscience and Nanotechnology, The Hebrew University of Jerusalem, Edmond J. Safra Campus, Givat Ram Jerusalem, 91904, Israel)
資料名： Advanced Materials Interfaces  (Advanced Materials Interfaces)
巻： 7  号： 5  ページ： e1902198  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2484A  ISSN： 2196-7350  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単分子層を用いたドーピング法により,ナノワイヤ(NW)の制御されたex situドーピング,および均一な自己制限特性を有するドーパント源として分子単層を用いた3Dデバイス構造を提供した。異なる方法を用いてホウ素含有単分子層に対するドーピングレベルと均一性を比較することにより,急速熱アニール(RTA)後のドーピング性能に及ぼす酸化物キャッピングの影響を実証した。著しいことに,フェニルボロン酸(PBA)の非共有結合単分子層に対して,最高のドーピングレベルが酸化物キャッピングを適用することなく最小の熱収支で得られた。酸化物キャッピング層における分子フラグメントの単分子層損傷と捕捉は,PBA単分子層への熱損傷によって引き起こされる低い性能を説明し,それは単分子層源の薄い固体源層への変換をもたらす。一連の実験により,酸化物キャッピング手順の影響を実証した。Kelvinプローブ力顕微鏡(KPFM)を適用することにより,二つのタイプの表面化学に対して,単分子層フラグメンテーション過程の詳細とナノスケールでのドーピング均一性への影響を検討した。これらの結果は,単分子層に基づくドーピング方法論に対する分子分解過程の重要性を指摘した。これらは,単分子層ドーピング応用に使用される適切な表面化学の将来の開発のために考慮されるべき重要なガイドラインである。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： RTA【熱処理】 ,  素子構造 ,  *酸化物 ,  *単分子層 ,  *フラグメンテーション ,  ナノワイヤ ,  熱収支 ,  *ドーピング ,  三次元 ,  ドーパント ,  捕獲 ,  *ホウ素 ,  界面化学 ,  単一層
準シソーラス用語： *ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ホウ素 ,  ドーピング ,  Kelvinプローブ力顕微鏡 ,  単一層 ,  ナノワイヤ

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (10件)： ホウ素 ,  単分子層 ,  ドーピング ,  ナノスケール ,  酸化物 ,  キャッピング層 ,  分子 ,  フラグメンテーション ,  均一性 ,  役割