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J-GLOBAL ID：202002291475493734   整理番号：20A0900125

自己加熱の低減により改善された電力トランジスタのための高電圧および高電流I_D-V_DS測定法【JST・京大機械翻訳】

High-Voltage and High-Current I_d-V_ds Measurement Method for Power Transistors Improved by Reducing Self-Heating

著者 (5件)： Nakamura Yohei (Research and Development Center, ROHM Co., Ltd., Kyoto, Japan) ,  Kuroda Naotaka (Research and Development Center, ROHM Co., Ltd., Kyoto, Japan) ,  Yanagi Tatsuya (Research and Development Center, ROHM Co., Ltd., Kyoto, Japan) ,  Sakairi Hiroyuki (Research and Development Center, ROHM Co., Ltd., Kyoto, Japan) ,  Nakahara Ken (Research and Development Center, ROHM Co., Ltd., Kyoto, Japan)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 41  号： 4  ページ： 581-584  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,高電圧および高電流(HVHC)範囲におけるドレイン-ソース電圧(I_d-V_ds)の関数としてドレイン電流特性を得るために,電力トランジスタのための改良測定法を提案した。簡単な二重パルス試験(DPT)を著者らの以前の方法で利用した。しかし,試験(DUT)下での装置の自己加熱は,高いI_dの範囲では無視できない。この改良試験回路は,測定前のDUTへの大電流の流れを防止するために,DUTに並列に接続した付加的トランジスタを装備した。トレンチゲート型SiC MOSFET(金属-オキシド-半導体電界効果トランジスタ)をDUTとして用いると,DUTの電力損失は約80%減少する。過渡熱分析により,金型温度上昇は約200A範囲で10°Cまで抑制されることを示した。新しく得られたI_d-V_ds特性を用いて,SiCトレンチMOSFETをモデル化した。素子モデルは測定したスイッチング波形を非常に正確に再現した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *電圧 ,  *トランジスタ ,  半導体 ,  酸化物 ,  MOSFET ,  *電力トランジスタ ,  熱分析 ,  炭化ケイ素 ,  パルス ,  テスト構造
準シソーラス用語： トレンチゲート ,  ドレイン電流 ,  *自己加熱 ,  電力損失 ,  *大電流 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 自己加熱 ,  電力トランジスタ ,  高電圧 ,  高電流 ,  測定法