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J-GLOBAL ID：202002291574384898   整理番号：20A0819341

低アニーリング温度におけるNiおよび窒化チタントップ電極を用いた溶液処理AlOx,ベースRRAMの抵抗スイッチング挙動【JST・京大機械翻訳】

Resistive Switching Behavior of Solution-Processed AlOx, based RRAM with Ni and TiN Top Electrode at Low Annealing Temperatures

著者 (4件)： Shen Zongjie (Xi’an Jiaotong-Liverpool University,Suzhou,China) ,  Zhao Cezhou (Xi’an Jiaotong-Liverpool University,Suzhou,China) ,  Yang Li (Xi’an Jiaotong-Liverpool University,Suzhou,China) ,  Zhao Chun (Xi’an Jiaotong-Liverpool University,Suzhou,China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： ISOCC  ページ： 182-183  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なるアニーリング温度で堆積した溶液処理AlO_x薄膜を用いて,金属/AlOx/Pt RRAMデバイスを開発し,Niと窒化チタンを上部電極(TE)として用いて,素子性能に及ぼす金属電極の影響を調べた。本研究では,種々の性能を持つRRAMデバイスは典型的なバイポーラ抵抗スイッチング(RS)特性を示す。TEと底部電極(BE)金属間の仕事関数の差は,操作プロセスにおいて主要な役割を果たすと考えられる。仕事関数の差が小さくなると,素子はSETとRESETの動作に対して電力消費が少なく,オン/オフ比が安定になることを示した。Ni/AlOx/Ptデバイスは,より低いSETおよびRESET動作電圧(<1.3V),より大きなオン/オフ比(>10~3),より長い保持時間(>10~4s)およびより良い耐久性(>100サイクル)でより安定した性能を示した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 薄膜 ,  仕事関数 ,  耐久性 ,  *ニッケル ,  電力消費 ,  保持時間
準シソーラス用語： 動作電圧 ,  金属電極 ,  *抵抗スイッチング ,  *ReRAM ,  *溶液処理 ,  *窒化チタン ,  *アニーリング温度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 音声処理  (JE05000E) ,  医用画像処理  (JE04020T) ,  符号理論  (ND02030R) ,  NMR一般  (BM07041R) ,  専用演算制御装置  (JC04030Y)

タイトルに関連する用語 (8件)： アニーリング温度 ,  Ni ,  窒化チタン ,  トップ ,  溶液処理 ,  RRAM ,  抵抗スイッチング ,  挙動