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J-GLOBAL ID：202002291682937078   整理番号：20A0911110

統合PMOSアレイを用いたBTIとRTNの統計的特性評価【JST・京大機械翻訳】

Statistical Characterization of BTI and RTN using Integrated pMOS Arrays

著者 (7件)： Stampfer B. (Christian Doppler Laboratory for Single-Defect Spectroscopy, 1040 Vienna, Austria) ,  Simicic M. (Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium) ,  Weckx P. (Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium) ,  Abbasi A. (Christian Doppler Laboratory for Single-Defect Spectroscopy, 1040 Vienna, Austria) ,  Kaczer B. (Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium) ,  Grasser T. (Institute for Microelectronics, TU Wien, Gusshausstras&e 27-29, 1040 Vienna, Austria) ,  Waltl M. (Christian Doppler Laboratory for Single-Defect Spectroscopy, 1040 Vienna, Austria)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： IIRW  ページ： 1-5  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化物と界面欠陥の電荷捕獲動力学を研究するために,BTIとRTNの測定が典型的に行われている。しかし,単一欠陥の統計的に意味のある集合を特性化し研究することは,時間がかかり,単一デバイスレベルでは非効率的である。これを軽減するために,ナノスケール素子の集積アレイを採用し,特注チップ上に数千個の単一素子を特性化した。欠陥中心アプローチを用いて,個々のトランジスタにおける単一欠陥から生じる閾値電圧シフトから欠陥統計を抽出した。最後に,TCADシミュレーションを行い,測定を複製し,アレイ測定方式を検証した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： シミュレーション ,  *トランジスタ ,  酸化物 ,  キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： *PMOS構造 ,  ナノスケール ,  TCAD ,  電荷捕獲 ,  閾値電圧シフト ,  界面欠陥 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： 統合 ,  PMOS ,  アレイ ,  BTI ,  統計的特性 ,  評価