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J-GLOBAL ID：202002291976724723   整理番号：20A2549228

100keV N+イオン注入Kapton-Hポリイミドの電気的および構造的特性評価【JST・京大機械翻訳】

Electrical and structural characterization of 100 keV N⁺ ion implanted Kapton-H polyimide

著者 (3件)： Chhokkar Preeti (Department of Physics, Kurukshetra University, Kurukshetra-136119, India) ,  Kumar V. (Department of Physics, Institute of Integrated and Honors Studies (IIHS), Kurukshetra University, Kurukshetra-136119, India) ,  Kumar Shyam (Department of Physics, Kurukshetra University, Kurukshetra-136119, India)
資料名： AIP Conference Proceedings  (AIP Conference Proceedings)
巻： 2265  号： 1  ページ： 030198-030198-4  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0071C  ISSN： 0094-243X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1x1015から5x1016イオン/cm2の範囲のフルエンスで100keVのN+イオンを注入されたKapton-Hポリイミドを,V-I測定,FTIRおよびRaman分光法によって特性化した。電流が電圧の増加とイオンフルエンスの増加と共に増加することが分かった。最高注入線量に対するlog(I)-log(V)プロットの勾配は,N+注入Kapton-Hにおけるほぼオーム伝導挙動を示した。FTIR-ATRスペクトルでは,全ての振動バンドの強度は単調に減少し,イオン注入の結果として種々の結合の破れを示した。さらに,5x1016N+/cm2のフルエンスで注入されたKapton-HのRamanスペクトルで観測される2つのバンド間のLorentzフィッティングは,それらの強度比(I_D/I_G)0.45で1383cm-1と1566cm-1の位置にそれらの中心を描写する。これらのピーク位置と強度比は炭素質材料のDとGバンドの存在を示す。このように,観測された電気的挙動の変化は,N+イオン注入後のKapton-Hの表面近傍領域における架橋共役炭素質構造の形成に起因すると考えられる。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Ramanスペクトル ,  電圧 ,  電流 ,  *イオン注入 ,  共役 ,  スペクトル ,  放射線量 ,  炭素材 ,  キャラクタリゼーション ,  構造特性 ,  Raman分光法 ,  フルエンス ,  FTIR分光法
準シソーラス用語： ATR-FTIR分光法 ,  イオンフルエンス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  その他の物質の放射線による構造と物性の変化  (BK16124V)

タイトルに関連する用語 (5件)： イオン注入 ,  Kapton ,  ポリイミド ,  構造的特性 ,  評価