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J-GLOBAL ID：202002291984164840   整理番号：20A1919985

マグネトロン共スパッタリングにより成長させたGeリッチAl_2O_3膜の相転移の分光学的キャラクタリゼーション【JST・京大機械翻訳】

Spectroscopic characterization of phase transformation in Ge-rich Al₂O₃ films grown by magnetron co-sputtering

著者 (10件)： Khomenkova L. (V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, 45 Pr. Nauky, Kyiv 03028, Ukraine) ,  Khomenkova L. (National University “Kyiv-Mohyla Academy”, 2 Skovorody str, Kyiv 04070, Ukraine) ,  Makasheva K. (LAPLACE, Universite de Toulouse, CNRS, 118 route de Narbonne, 31062 Toulouse, France) ,  Petrik P. (Institute for Technical Physics and Materials Science, Center for Energy Research, Konkoly Thege Rd. 29-33, 1121 Budapest, Hungary) ,  Tsybrii Z. (V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, 45 Pr. Nauky, Kyiv 03028, Ukraine) ,  Melnichuk O. (Mykola Gogol Nizhyn State University, 2 Grafska str, Nizhyn 16600, Ukraine) ,  Melnichuk L. (Mykola Gogol Nizhyn State University, 2 Grafska str, Nizhyn 16600, Ukraine) ,  Balberg I. (The Racah Institute of Physics, The Hebrew University E.J. Saphra Campus, Jerusalem 9190401, Israel) ,  Gourbilleau F. (CIMAP, Normandie Univ, ENSICAEN, UNICAEN, CEA, CNRS, 6 Boulevard Marechal Juin, 14050 Caen Cedex 4, France) ,  Korsunska N. (V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, 45 Pr. Nauky, Kyiv 03028, Ukraine)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 277  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なるGe含有量を有するGeリッチAl_2O_3膜の光学的および構造的特性の熱的に刺激された発展を調べた。堆積したままの膜とT_A≦550°Cで焼なました膜は,Ge含有量に関係なく非晶質であることが分かった。非晶質Geクラスタの生成はT_A=550°Cで生じ,一方,それらの結晶化はT_A=600°Cで顕著であり,より高いGe含有量ではより短いアニーリング時間を必要とする。T_A=550°Cでアニールした膜は広い光ルミネセンススペクトルを示した。その形状と強度はGe含有量と励起エネルギーに依存する。T_A=600°CでのアニーリングはGeO_x相被覆Geクラスタの形成に由来する付加的UVバンドの出現をもたらした。励起スペクトルの解析を行い,これらの膜における発光の機構を識別し,Ge相(非晶質クラスタおよび/またはナノ結晶)におけるキャリア再結合の寄与,ならびに界面またはホスト欠陥を識別した。自由キャリアの濃度と移動度も推定した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  結晶化 ,  焼なまし ,  *相転移 ,  ルミネセンス ,  *ゲルマニウム ,  被覆 ,  非晶質 ,  クラスタ ,  励起スペクトル ,  励起エネルギー ,  キャリア再結合 ,  ナノ結晶
準シソーラス用語： 自由キャリア ,  光ルミネセンススペクトル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： Geナノクラスタ ,  Al_2O_3 ,  偏光解析法 ,  ルミネセンス ,  赤外鏡面反射 ,  相分離

分類 (4件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： マグネトロン ,  共スパッタリング ,  成長 ,  Ge ,  相転移 ,  分光学的キャラクタリゼーション