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J-GLOBAL ID：202002292162228648   整理番号：20A0215816

超薄黒リンFETの物理に基づくコンパクトモデル II 数値データと実験データに対するモデル検証【JST・京大機械翻訳】

A Physics-Based Compact Model for Ultrathin Black Phosphorus FETs-Part II: Model Validation Against Numerical and Experimental Data

著者 (4件)： Yarmoghaddam Elahe (Department of Electrical and Computer Engineering, Quantum Nanoelectronics Laboratory, New York University, New York City, NY, USA) ,  Haratipour Nazila (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Minnesota, Minneapolis, MN, USA) ,  Koester Steven J. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Minnesota, Minneapolis, MN, USA) ,  Rakheja Shaloo (Holonyak Micro and Nanotechnology Laboratory, University of Illinois at Urbana-Champaign, Urbana, IL, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 67  号： 1  ページ： 397-405  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文の最初の部分では,数層両極性黒リン(BP)トランジスタにおける電流-電圧(I-V)関係を記述するための物理ベースの表面ポテンシャルコンパクトモデルを提示した。提案したモデルは,薄膜BP FETの本質的物理を,その効果を説明することにより捉えた。1)BPにおける面内バンド構造異方性,ならびに電子および正孔電流伝導特性における非対称性;2)非線形Schottky型ソース/ドレイン接触抵抗;3)界面トラップ;4)電子と正孔の二つの分離準Fermi準位を用いた素子の両極性電流伝導;5)モデルパラメータに及ぼす温度の影響。本論文において,このモデルを,7.3および8.1nmのBP厚さおよび200~298Kの温度範囲において,1000および300nmのゲート長を有するバックゲートBPトランジスタの測定データに対して検証した。また,300と600nmのチャネル長と6nmのBP厚さを持つBPトランジスタの数値TCADデータに対するモデルを検証した。このモデルを,MoS_2およびWSe_2のようなチャネル材料を有する単極二次元FETにも適用した。近平衡輸送と室温動作に主に適した以前のBP FETモデルと比較して,ここで開発したモデルは広いバイアスと温度範囲にわたる実験と数値データとの優れた一致を示した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 接触抵抗 ,  二次元 ,  正孔 ,  トランジスタ ,  表面電位 ,  *黒リン ,  バイアス ,  非対称性 ,  電圧 ,  電流 ,  薄膜
準シソーラス用語： TCAD ,  チャネル長 ,  バックゲート ,  *コンパクトモデル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 黒リン ,  FET ,  物理 ,  コンパクトモデル ,  数値データ ,  実験データ ,  モデル検証