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J-GLOBAL ID：202002294939518308   整理番号：20A1024564

カーエレクトロニクスの最新技術と動向 SiCパワーデバイスの開発,実装技術と車載機器への展望

著者 (1件)： 岩室憲幸 (筑波大)
資料名： クリーンテクノロジー  (Clean Technology)
巻： 30  号： 5  ページ： 1-4  発行年： 2020年05月10日 
JST資料番号： L1138A  ISSN： 0917-1819  CODEN： KTEKER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・パワーエレクトロニクス装置として,低損失化,高温動作化を実現する次世代パワーデバイスとして,SiCパワーデバイスが期待されていると述べ,最近のSiCパワーデバイスを紹介。
・SiC MOSFETでは,SiC特有の素子作成プロセスによりMOS界面移動度の向上,ゲート電極周りの長期信頼性の確保が困難であるという課題を克服し,EV用パワーデバイスに搭載。
・SiCパワーデバイスの高温実装技術に触れ,ワイヤーポンディングは使わずに銅ピン,さらにチップ上部に配置されたパワー基板配線によってチップと各端子間の配線を行う技術等を紹介。

シソーラス用語： *カーエレクトロニクス ,  半導体素子 ,  炭化ケイ素 ,  DC-DCコンバータ ,  インバータ ,  冷却器 ,  自動車
準シソーラス用語： *SiC MOSFET ,  *SiCパワーデバイス ,  *技術動向 ,  *高温動作 ,  最新技術 ,  車載機器 ,  長期信頼性 ,  *低損失

分類 (2件)： 電源回路  (NC05060Q) ,  電装品  (QG03070C)

タイトルに関連する用語 (7件)： カーエレクトロニクス ,  動向 ,  SiCパワーデバイス ,  開発 ,  実装 ,  車載機器 ,  展望