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J-GLOBAL ID：202002298840870342   整理番号：20A2238679

高速XRD測定を利用したNaフラックスGaN基板のオフ角評価

Miscut Angle Measurement of Na-flux GaN substrates Using High-Speed XRD System

著者 (3件)： 守山実希 (豊田合成) ,  小澤哲也 (リガク) ,  光永徹 (リガク)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.14p-A302-7  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 半導体基板のオフ角は,基板上に成長されるエピ層の表面モフォロジーやドーパントの取り込み量等に影響するため,半導体デバイス製造において非常に重要である.Si基板に代表される一般的な半導体基板は,引上げ法によって成長された高品質なバルク結晶を...【本文一部表示】

シソーラス用語： *X線回折 ,  研磨 ,  格子定数 ,  *ナトリウム ,  半値幅 ,  熱膨張係数 ,  *窒化ガリウム ,  ロッキングカーブ ,  厚膜 ,  ドーパント
準シソーラス用語： 表面形態 ,  シリコンウエハ ,  パワーデバイス ,  高品質 ,  エピタキシャル層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： XRD ,  Na ,  フラックス ,  GaN ,  オフ角 ,  評価