文献

J-GLOBAL ID：202002298933396859   整理番号：20A0912267

相変化メモリナノデバイスにおけるSEMイメージング攻撃のタンパー証拠【JST・京大機械翻訳】

Tamper Evidence of SEM Imaging Attack in Phase Change Memory Nanodevices

著者 (4件)： Noor Nafisa (University of Connecticut,Department of Electrical and Computer Engineering,Storrs,CT,USA,06269) ,  Khan Raihan Sayeed (University of Connecticut,Department of Electrical and Computer Engineering,Storrs,CT,USA,06269) ,  Muneer Sadid (University of Connecticut,Department of Electrical and Computer Engineering,Storrs,CT,USA,06269) ,  Silva Helena (University of Connecticut,Department of Electrical and Computer Engineering,Storrs,CT,USA,06269)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： NANO  ページ： 400-404  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子ハードウェアデバイスやチップへの不正アクセスによるセキュリティのbreは,インターネット接続の日常活動にとって最近深刻な関心事になっている。電子顕微鏡による画像化は,チップレイアウトに関する知識を獲得し,攻撃者により秘密情報を抽出するために用いられる侵入技術の一つである。これらの攻撃に対する保護を確実にするためには,そのような侵入攻撃の間の秘密鍵の自動破壊または擾乱が必要である。測定されたセル抵抗の観点から,走査電子顕微鏡(SEM)中の画像化電子ビームにより,プログラムされた相変化メモリ(PCM)セルに生じる擾乱を特性化した。抵抗の突然の増加は,すべての画像化した非晶質セルで観察され,一方,中間状態にプログラムされたセルは,急激な増加または異常な減少のいずれかを示した。これらの状態の異常な擾乱は,保存された鍵を獲得し,改ざんの無差別なマークを残すことを試みている攻撃者を誤解するのに有望である。PCMは最近,様々なハードウェアセキュリティプリミティブの実装のために考慮されているので,これらのビーム誘起状態変化とタンパ証拠特徴は,物理的攻撃に対するPCMデバイスのセキュリティを強化する。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 走査電子顕微鏡 ,  中間状態 ,  電子顕微鏡 ,  電子ビーム ,  非晶質 ,  *画像処理 ,  キャラクタリゼーション ,  セキュリティ ,  暗号鍵 ,  インターネット
準シソーラス用語： 画像化 ,  *ナノデバイス ,  不正アクセス ,  機密情報 ,  攻撃者 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (7件)： 相変化メモリ ,  ナノデバイス ,  SEM ,  イメージング ,  攻撃 ,  タンパー ,  証拠