特許
J-GLOBAL ID：202003000070218929
半導体チップの製造方法、半導体ウエハおよび半導体ウエハの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-236237
公開番号（公開出願番号）：特開2020-098859
出願日： 2018年12月18日
公開日（公表日）： 2020年06月25日
要約：
【課題】内在する半導体ウエハの応力が発散されることで半導体チップの側面から裏面にかけて発生するチッピングを抑制する技術を提供することを目的とする。【解決手段】半導体チップの製造方法は、複数の半導体チップ1aが形成された領域である有効チップ域2と有効チップ域2の外周側の領域であるウエハ外周無効域3とを備える半導体ウエハ1から複数の半導体チップ1aを個片化する方法である。半導体チップの製造方法は、ウエハ外周無効域3を予め定められたピッチで切断する捨てダイシング工程(a)と、有効チップ域2を予め定められたピッチで切断することで複数の半導体チップ1aを個片化するダイシング工程(b)とを備えている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
複数の半導体チップが形成された領域である有効チップ域と前記有効チップ域の外周側の領域であるウエハ外周無効域とを備える半導体ウエハから複数の半導体チップを個片化する半導体チップの製造方法であって、
(a)前記ウエハ外周無効域を予め定められたピッチで切断する捨てダイシング工程と、
(b)前記有効チップ域を予め定められたピッチで切断することで複数の前記半導体チップを個片化するダイシング工程と、
を備える、半導体チップの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
5F063AA05
, 5F063BA42
, 5F063BA45
, 5F063CA01
, 5F063CA04
, 5F063CC39
, 5F063DD01
