特許
J-GLOBAL ID:202003000458764127
有機EL表示装置及び有機EL表示装置の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人はるか国際特許事務所
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-075394
公開番号(公開出願番号):特開2017-188535
特許番号:特許第6737620号
出願日: 2016年04月04日
公開日(公表日): 2017年10月12日
請求項(抜粋):
【請求項1】 複数の画素を有し、前記各画素に有機EL素子に流す電流を制御するトランジスタを有する有機EL表示装置であって、
前記トランジスタは、
一方が前記有機EL素子と電気的に接続され、他方が前記有機EL表示装置の外部から電源が供給されるドレイン電極及びソース電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極の間に形成された第1のゲート電極と、
前記第1のゲート電極の下層側に形成された半導体膜と、を有し、
前記半導体膜における、前記第1のゲート電極と前記ドレイン電極または前記ソース電極の間の領域の一方の第1の領域は、n型イオンが高い濃度で注入され、他の一方の第2の領域は、n型イオンが低い濃度で注入され、
前記トランジスタは、前記第1のゲート電極上に絶縁層を介して第2のゲート電極を備え、
前記第2のゲート電極は、断面視で、前記ソース電極側から前記ドレイン電極側にかけて前記第1のゲート電極を覆うように連続的に設けられる、
ことを特徴とする有機EL表示装置。
IPC (5件):
H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 51/50 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, G09F 9/30 ( 200 6.01)
, G09F 9/00 ( 200 6.01)
FI (8件):
H01L 29/78 617 N
, H05B 33/14 A
, H01L 29/78 612 Z
, H01L 29/78 616 V
, H01L 29/78 626 B
, G09F 9/30 338
, G09F 9/30 365
, G09F 9/00 338
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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