特許
J-GLOBAL ID:202003000863076408

半導体集積回路とその制御方法及び多層回路基板

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 田中 光雄 ,  鮫島 睦
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-085414
公開番号(公開出願番号):特開2017-195306
特許番号:特許第6672988号
出願日: 2016年04月21日
公開日(公表日): 2017年10月26日
請求項(抜粋):
【請求項1】 半導体集積回路内部の電源電圧とグランドとの間にバイパスコンデンサを有する半導体集積回路であって、 前記半導体集積回路の回路を複数の電源遮断領域に分割し、 前記各電源遮断領域はそれぞれ、上記電源電圧と前記各電源遮断領域内の回路との間に挿入されたスイッチ及び前記バイパスコンデンサを備え、 前記半導体集積回路は、 前記各電源遮断領域内のスイッチをオン/オフ制御することで、前記バイパスコンデンサの容量を変更する制御回路と、 前記半導体集積回路の消費電流値を検知して、検知された消費電流値を示す消費電流値信号を出力する消費電流検知回路とを備え、 前記制御回路は、前記消費電流値信号に基づいて、前記各電源遮断領域内のスイッチをオン/オフ制御することで、前記バイパスコンデンサの容量を変更することを特徴とする半導体集積回路。
IPC (2件):
H01L 21/822 ( 200 6.01) ,  H01L 27/04 ( 200 6.01)
FI (2件):
H01L 27/04 D ,  H01L 27/04 V
引用特許:
審査官引用 (6件)
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