特許

J-GLOBAL ID：202003001279064577

フォトレジスト成分濃度測定装置および濃度測定方法

発明者： 島田 和哉 ,  西川 晴香 ,  鬼頭 佑典
出願人/特許権者： パナソニックIPマネジメント株式会社
代理人 (1件)： 廣幸 正樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-012558
公開番号（公開出願番号）：特開2017-135204
特許番号：特許第6643710号
出願日： 2016年01月26日
公開日（公表日）： 2017年08月03日
請求項（抜粋）：

【請求項1】NQD(ナフトキノンジアジドスルフォン酸エステル)とノボラック樹脂を含むフォトレジストと、 硫黄元素を含まないフォトレジスト剥離液が使用されるフォトレジスト剥離液槽を有するフォトレジスト剥離装置に用いられるフォトレジスト成分濃度測定装置であって、 前記フォトレジスト剥離液中の硫黄元素の量を蛍光X線測定装置で測定することを特徴とするフォトレジスト成分濃度測定装置。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ( 200 6.01) ,  G03F 7/42 ( 200 6.01) ,  G01N 23/223 ( 200 6.01) ,  G01N 23/2204 ( 201 8.01)

FI (4件)：

H01L 21/30 572 B ,  G03F 7/42 ,  G01N 23/223 ,  G01N 23/22 320

引用特許：

出願人引用 (4件)

• レジスト除去装置およびレジスト除去方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-426744   出願人：シャープ株式会社
• フォトレジスト、フルオロポリマーおよび157nm微細平版印刷のための方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2004-534276   出願人：イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー
• 処理装置および処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-038886   出願人：芝浦メカトロニクス株式会社
• 半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-220489   出願人：三菱電機株式会社