特許

J-GLOBAL ID：201503012857715081

処理装置および処理方法

発明者： 松嶋 大輔 ,  出村 健介 ,  中村 聡 ,  鈴木 将文 ,  小林 信雄
出願人/特許権者： 芝浦メカトロニクス株式会社
代理人 (3件)： 日向寺 雅彦 ,  小崎 純一 ,  市川 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-038886
公開番号（公開出願番号）：特開2015-162659
出願日： 2014年02月28日
公開日（公表日）： 2015年09月07日
要約：

【課題】簡易、且つ効果的に除去対象物の除去と、硫酸イオンの除去を行うことができる処理装置および処理方法を提供することである。【解決手段】実施形態に係る処理装置は、被処理物を載置する載置部と、前記載置部に載置された前記被処理物の表面に、硫酸イオンを含む液を供給する第1の供給部と、前記載置部に載置された前記被処理物の表面に、過酸化水素水を供給する第2の供給部と、前記第1の供給部と、前記第2の供給部と、を制御する制御部と、を備えている。 前記制御部は、前記第1の供給部を制御して、前記被処理物の表面に、前記硫酸イオンを含む液を供給し、前記第2の供給部を制御して、前記硫酸イオンを含む液が残留する前記被処理物の表面に、前記過酸化水素水を供給する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

被処理物を載置する載置部と、 前記載置部に載置された前記被処理物の表面に、硫酸イオンを含む液を供給する第1の供給部と、 前記載置部に載置された前記被処理物の表面に、過酸化水素水を供給する第2の供給部と、 前記第1の供給部と、前記第2の供給部と、を制御する制御部と、 を備え、 前記制御部は、前記第1の供給部を制御して、前記被処理物の表面に、前記硫酸イオンを含む液を供給し、前記第2の供給部を制御して、前記硫酸イオンを含む液が残留する前記被処理物の表面に、前記過酸化水素水を供給する処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/304 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

H01L21/304 648H ,  H01L21/304 643A ,  H01L21/304 647Z ,  H01L21/304 651B ,  H01L21/30 572B

Fターム (39件)：

5F146MA02 ,  5F146MA03 ,  5F146MA06 ,  5F146MA10 ,  5F157AA42 ,  5F157AA64 ,  5F157AA71 ,  5F157AA91 ,  5F157AB02 ,  5F157AB14 ,  5F157AB33 ,  5F157AB90 ,  5F157AC01 ,  5F157AC02 ,  5F157AC26 ,  5F157BB22 ,  5F157BB23 ,  5F157BB66 ,  5F157BB73 ,  5F157BC12 ,  5F157BC53 ,  5F157BE23 ,  5F157BE43 ,  5F157CA03 ,  5F157CB02 ,  5F157CB04 ,  5F157CB13 ,  5F157CE03 ,  5F157CE07 ,  5F157CE10 ,  5F157CE32 ,  5F157CE36 ,  5F157CE42 ,  5F157CE43 ,  5F157CF04 ,  5F157CF34 ,  5F157CF60 ,  5F157DB23 ,  5F157DC84

引用特許：

審査官引用 (5件)

• レジスト除去方法およびレジスト除去装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-246373   出願人：大日本スクリーン製造株式会社
• 基板処理装置および基板処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-211889   出願人：大日本スクリーン製造株式会社
• 基板の処理方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-273031   出願人：芝浦メカトロニクス株式会社
• 薬液処理装置および薬液処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-366431   出願人：ソニー株式会社
• 基板処理方法および基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-099633   出願人：大日本スクリーン製造株式会社