特許
J-GLOBAL ID：202003001417888691
半導体結晶基板の製造方法、赤外線検出装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
伊東 忠重
, 伊東 忠彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-536573
特許番号：特許第6769486号
出願日： 2016年08月31日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 GaSbまたはInAsの結晶基板の表面に形成されている酸化膜を除去する工程と、
前記酸化膜が除去された前記結晶基板の前記表面に、分子線エピタキシーによって、GaSbからなる第1のバッファ層を形成する工程と、
前記第1のバッファ層の表面に、分子線エピタキシーによって、GaSbからなる第2のバッファ層を形成する工程と、
を有し、
前記第1のバッファ層を形成する際の基板温度は、380°C以上、440°C以下であって、V/III比は、10であり、
前記第2のバッファ層を形成する際の基板温度は、500°C以上、550°C以下であって、V/III比は、10であることを特徴とする半導体結晶基板の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/20 ( 200 6.01)
, H01L 27/144 ( 200 6.01)
, H01L 27/146 ( 200 6.01)
, H01L 21/203 ( 200 6.01)
, H01L 31/10 ( 200 6.01)
, C23C 14/06 ( 200 6.01)
H01L 21/20
, H01L 27/144 K
, H01L 27/146 A
, H01L 21/203 M
, H01L 31/10 A
, C23C 14/06 G
