GalnAsSb固溶体ベースのヘテロ構造、該ヘテロ構造を製造する方法、および該ヘテロ構造をベースとした発光ダイオード

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山田卓二 , 田中光雄 , 竹内三喜夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-531039
公開番号（公開出願番号）：特表2015-535141
出願日： 2013年09月10日
公開日（公表日）： 2015年12月07日
要約：

本発明は、半導体デバイスの分野に関し、詳細には逆PN接合を備えたGalnAsSb固溶体をベースとしたヘテロ構造、該ヘテロ構造を製造する方法、および該ヘテロ構造をベースとした発光ダイオードに関する。提供されるヘテロ構造は、GaSbを含む基板と、GalnAsSb固溶体を含有し、基板の上側に設けられた活性層と、AlGaAsSb固溶体を含有し、活性層の上側に設けられた、多数キャリアを局在化させるための閉じ込め層と、閉じ込め層の上側に設けられ、GaSbを含むコンタクト層とを備え、ヘテロ構造は、GalnAsSb固溶体を含有し、基板と活性層との間に設けられたバッファ層をさらに備え、該バッファ層は、活性層より少ないインジウム(In)を含有する。バッファ層の使用により、少数キャリアを活性領域に局在化させることが可能になり、これにより放射再結合の量が増加し、ヘテロ構造の量子効率が増加する。さらに、バッファ層の使用により、基板から活性領域の中に侵入する欠陥の影響を最小化し、これにより深いアクセプタレベルの減少をもたらし、よって非放射性SRH(ショックレー・リード・ホール)再結合の量が減少し、ヘテロ構造の量子効率が増加する。提供されるヘテロ構造をベースとして製造された発光ダイオードは、1.8〜2.4μmの中赤外スペクトル範囲で発光する。

請求項（抜粋）：

GalnAsSb固溶体をベースとしたヘテロ構造であって、 GaSbを含む基板と、 GalnAsSb固溶体を含み、基板の上側に設けられた活性層と、 AlGaAsSb固溶体を含み、活性層の上側に設けられた、多数キャリアを局在化させるための閉じ込め層と、閉じ込め層の上側に設けられ、GaSbを含むコンタクト層とを備え、ヘテロ構造は、GalnAsSb固溶体を含み、基板と活性層との間に設けられたバッファ層をさらに備え、該バッファ層は、活性層より少ないインジウム(In)を含有することを特徴とする、ヘテロ構造。

IPC (4件)：

H01L 33/30 , H01L 21/208 , G01N 21/01 , G01N 21/350

FI (4件)：

H01L33/00 184 , H01L21/208 S , G01N21/01 D , G01N21/3504

Fターム (20件)：

2G059AA01 , 2G059BB01 , 2G059CC04 , 2G059CC13 , 2G059GG02 , 2G059HH01 , 5F053AA01 , 5F053DD20 , 5F053JJ01 , 5F053JJ03 , 5F053LL02 , 5F241AA40 , 5F241AA43 , 5F241CA03 , 5F241CA07 , 5F241CA34 , 5F241CA63 , 5F241CA74 , 5F241CA85 , 5F241CA92

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭61-044479
特開平4-079274
特開昭57-143879

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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