半導体素子および半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：吉田稔 , 臼井尚
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-208123
公開番号（公開出願番号）：特開2020-077665
出願日： 2018年11月05日
公開日（公表日）： 2020年05月21日
要約：

【課題】接合層の電極への到達を防止することが可能な半導体素子、およびそれが搭載された半導体装置を提供する。【解決手段】厚さ方向zを向く表面10Aと、および厚さ方向zに対して直交する方向を向き、かつ表面10Aにつながる側面10Cと、を有する素子本体10と、厚さ方向zに沿って視て周縁から内方に凹む切欠部21を有し、かつ表面10Aの上に配置された表面保護膜20と、表面10Aの上に配置され、かつ切欠部21に囲まれるとともに、素子本体10に導通する電極(第1電極311)と、を備え、素子本体10には、側面10Cから厚さ方向zに対して直交する方向に向けて突出する堰部111が設けられ、厚さ方向zに沿って視て、堰部111は、切欠部21の開口の近隣に位置する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

厚さ方向を向く表面と、および前記厚さ方向に対して直交する方向を向き、かつ前記表面につながる側面と、を有する素子本体と、前記厚さ方向に沿って視て周縁から内方に凹む切欠部を有し、かつ前記表面の上に配置された表面保護膜と、前記表面の上に配置され、かつ前記切欠部に囲まれるとともに、前記素子本体に導通する電極と、を備え、前記素子本体には、前記側面から前記厚さ方向に対して直交する方向に向けて突出する堰部が設けられ、前記厚さ方向に沿って視て、前記堰部は、前記切欠部の開口の近隣に位置することを特徴とする、半導体素子。

IPC (6件)：

H01L 21/52 , H01L 21/320 , H01L 21/768 , H01L 23/522 , H01L 23/532 , H01L 21/60

FI (5件)：

H01L21/52 B , H01L21/88 T , H01L21/90 S , H01L21/88 R , H01L21/60 301Z

Fターム (22件)：

5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH33 , 5F033MM05 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR22 , 5F033SS15 , 5F033VV07 , 5F044AA01 , 5F044AA02 , 5F044AA15 , 5F044EE04 , 5F044EE06 , 5F047AA11 , 5F047AB10 , 5F047BA15 , 5F047BB11

引用特許：

出願人引用 (4件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2016-149631 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
半導体ウェーハ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-090708 出願人：関西日本電気株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-006235 出願人：株式会社ルネサステクノロジ

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