特許
J-GLOBAL ID:202003003026743195
希土類磁石粉末の製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
森岡 正往
, 特許業務法人SANSUI国際特許事務所
公報種別:再公表公報
出願番号(国際出願番号):JP2019028019
公開番号(公開出願番号):WO2020-017529
出願日: 2019年07月17日
公開日(公表日): 2020年01月23日
要約:
高磁気特性な希土類磁石粉末が得られる製造方法を提供する。 本発明は、希土類元素(R)とホウ素(B)と遷移元素(TM)を含む鋳造合金を350〜550°Cの水素雰囲気中に曝して得られた磁石原料に、吸水素させて不均化反応を生じさせる不均化工程と、不均化工程後の磁石原料から脱水素して再結合反応を生じさせる再結合工程と、を備える希土類磁石粉末の製造方法である。鋳造合金を曝す水素雰囲気の水素分圧は問わないが、例えば1〜250kPaとすればよい。鋳造合金は、水素雰囲気に曝す前に予め溶体化処理がなされた鋳塊からなると好ましい。その水素雰囲気の温度(水素解砕温度)を所定範囲とすることにより、クラックが主に粒界相で生じ、主相の割れが抑制される。これがHDDR後にも反映され、高磁気特性な磁石粉末が得られるようになったと考えられる。
請求項(抜粋):
希土類元素(「R」という。)とホウ素(B)と遷移元素(「TM」という。)を含む鋳造合金を350〜585°Cの水素雰囲気中に曝して得られた磁石原料に、吸水素させて不均化反応を生じさせる不均化工程と、
該不均化工程後の磁石原料から脱水素して再結合反応を生じさせる再結合工程と、
を備える希土類磁石粉末の製造方法。
IPC (6件):
H01F 41/02
, H01F 1/057
, B22F 9/04
, B22F 1/00
, C21D 9/00
, C22C 38/00
FI (9件):
H01F41/02 G
, H01F1/057 130
, H01F1/057 180
, B22F9/04 E
, B22F9/04 D
, B22F9/04 C
, B22F1/00 B
, C21D9/00 101A
, C22C38/00 303D
Fターム (20件):
4K017AA04
, 4K017BA06
, 4K017BB12
, 4K017BB13
, 4K017CA07
, 4K017DA04
, 4K017EA03
, 4K017EA09
, 4K018BA18
, 4K018BB04
, 4K018BC01
, 4K018BD01
, 4K018KA46
, 5E040AA04
, 5E040CA01
, 5E040HB08
, 5E040NN01
, 5E040NN18
, 5E062CC05
, 5E062CG03
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