特許
J-GLOBAL ID:202003003027838955

電気デバイス用負極活物質、およびこれを用いた電気デバイス

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 八田国際特許業務法人
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-120289
公開番号(公開出願番号):特開2017-224539
特許番号:特許第6743503号
出願日: 2016年06月16日
公開日(公表日): 2017年12月21日
請求項(抜粋):
【請求項1】 TiSi2を含むシリサイド相の母相中に、ケイ素の結晶構造の内部にスズが固溶してなる非晶質または低結晶性ケイ素を主成分とする相が分散されてなる構造を有し、下記化学式(1) 化学式(1) SixSnyTizAa (上記化学式(1)において、Aは不可避不純物であり、x、y、z、及びaは、質量%の値を表し、この際、58≦x≦73、2≦y≦15、25≦z≦35であり、0≦a<0.5であり、x+y+z+a=100である。) で表される組成を有するケイ素含有合金からなり、 示差走査熱量測定(DSC)法により得られるスペクトルにおいて1200〜1350°Cに観察されるSiピークのピーク強度をI(1)とし、1400〜1500°Cに観察されるTiSi2ピークのピーク強度をI(2)とし、a-Si相が含まれないと仮定した場合のSi量に相当するピーク強度と前記Siピークのピーク強度との差として定義されるa-Siピークのピーク強度をI(3)としたときに、 I(2)/I(1)>0.59、および、 I(3)/I(1)>0.56 の関係を満たすことを特徴とする、電気デバイス用負極活物質。
IPC (3件):
H01M 4/38 ( 200 6.01) ,  H01M 4/134 ( 201 0.01) ,  C01B 33/06 ( 200 6.01)
FI (3件):
H01M 4/38 Z ,  H01M 4/134 ,  C01B 33/06
引用特許:
審査官引用 (4件)
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