特許

J-GLOBAL ID：202003003901908950

金属・誘電体・金属の3層構造を有する光変調構造体、その製造方法及び用途

発明者： 金森 義明 ,  羽根 一博
出願人/特許権者： 国立大学法人東北大学
代理人 (3件)： 特許業務法人イイダアンドパートナーズ ,  大家 邦久 ,  林 篤史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-234473
公開番号（公開出願番号）：特開2020-094973
出願日： 2018年12月14日
公開日（公表日）： 2020年06月18日
要約：

【課題】誘電体層の厚み(ギャップ)に対する感度が高く、圧力センサや変位センサなどに応用できる、導電体、誘電体及び導電体の3層構造を有する光メタマテリアル(光変調構造体)を提供する【解決手段】第1の基板上の導電体層(第1導電体層)が誘電体層を介して第2の基板上の導電体層(第2導電体層)と対向し、前記誘電体層の厚みが外力により変化する構造を有することを特徴とする光変調構造体、その製造方法、及びその光変調構造体を用いた装置。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の基板上の導電体層(第1導電体層)が誘電体層を介して第2の基板上の導電体層(第2導電体層)と対向し、前記誘電体層の厚みが外力により変化する構造を有することを特徴とする光変調構造体。

IPC (4件)：

G01L 1/24 ,  G02B 26/02 ,  B81B 3/00 ,  B81C 3/00

FI (4件)：

G01L1/24 Z ,  G02B26/02 Z ,  B81B3/00 ,  B81C3/00

Fターム (17件)：

2H141MA22 ,  2H141MD02 ,  2H141MF30 ,  2H141MZ16 ,  2H141MZ19 ,  2H141MZ27 ,  3C081BA11 ,  3C081BA28 ,  3C081BA41 ,  3C081CA23 ,  3C081CA26 ,  3C081CA28 ,  3C081CA32 ,  3C081DA02 ,  3C081DA06 ,  3C081EA03 ,  3C081EA08

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開昭62-126303
  
• 特許第5854350号
  

審査官引用 (1件)

• 特開昭62-126303