特許
J-GLOBAL ID：202003003922992676

基板支持アセンブリ、プラズマ処理装置、及びプラズマ処理方法

発明者：
池上 真史

池上 真史 について

, 
佐々木 康晴

佐々木 康晴 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹 ,  柏岡 潤二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-191614
公開番号（公開出願番号）：特開2020-061454
出願日： 2018年10月10日
公開日（公表日）： 2020年04月16日
要約：
【課題】支持台とフォーカスリングとの間でのインピーダンスの変化を抑制するように、フォーカスリングの鉛直方向の位置を調整可能とする基板支持アセンブリを提供する。【解決手段】例示的実施形態に係る基板支持アセンブリは、基板支持アセンブリは、支持台及び一つ以上の圧電素子を備える。支持台は、下部電極及び静電チャックを有する。支持台は、上面を有する。の上面は、その上に基板が載置される第1領域及びその上方にフォーカスリングが配置される第2領域を含む。一つ以上の圧電素子は、フォーカスリングと第2領域との間に設けられている。一つ以上の圧電素子の各々の厚みは、フォーカスリングと第2領域との間での空間の発生を抑制するように変化可能である。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
プラズマ処理装置において用いられる基板支持アセンブリであって、 下部電極及び該下部電極上に設けられた静電チャックを有する支持台と、 前記支持台とフォーカスリングとの間に設けられた一つ以上の圧電素子と、 を備え、 前記支持台は、上面を有し、 前記支持台の上面は、その上に基板が載置される第1領域及び該第1領域の外側で周方向に延在する第2領域であり、その上方にフォーカスリングが配置される該第2領域を含み、 前記一つ以上の圧電素子は、前記フォーカスリング及び前記第2領域に直接的又は間接的に接するように、前記フォーカスリングと前記第2領域との間に設けられており、 前記一つ以上の圧電素子の各々の厚みの変化は、前記フォーカスリングの鉛直方向の位置を変化させ、 前記一つ以上の圧電素子の各々の厚みは、前記フォーカスリングと前記第2領域との間での空間の発生を抑制するように変化可能である、 基板支持アセンブリ。
IPC (3件)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/683
FI (3件)：
H01L21/302 101G ,  H01L21/31 C ,  H01L21/68 R
Fターム (28件)：
5F004AA01 ,  5F004BA09 ,  5F004BB13 ,  5F004BB22 ,  5F004BB23 ,  5F004BB25 ,  5F004BB26 ,  5F004BB28 ,  5F004BB29 ,  5F045AA08 ,  5F045DP03 ,  5F045EF05 ,  5F045EH14 ,  5F045EJ03 ,  5F045EJ05 ,  5F045EJ09 ,  5F045EJ10 ,  5F045EM05 ,  5F045EM09 ,  5F131AA02 ,  5F131BA19 ,  5F131CA06 ,  5F131EA03 ,  5F131EB14 ,  5F131EB17 ,  5F131EB78 ,  5F131EB82 ,  5F131EB84
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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