特許
J-GLOBAL ID：202003003953761370

磁気記憶装置

発明者：
山本 竜也

山本 竜也 について

, 
野崎 隆行

野崎 隆行 について

, 
湯浅 新治

湯浅 新治 について


出願人/特許権者：
国立研究開発法人産業技術総合研究所

国立研究開発法人産業技術総合研究所 について


代理人 (3件)： 日向寺 雅彦 ,  小崎 純一 ,  市川 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-007726
公開番号（公開出願番号）：特開2020-119617
出願日： 2019年01月21日
公開日（公表日）： 2020年08月06日
要約：
【課題】書き込み動作時のエラーレートを低減できる磁気記憶装置を提供する。【解決手段】磁気記憶装置は、積層体及び制御部を含む。前記積層体は、第1磁性層及び誘電層を含む。前記制御部は、前記積層体と電気的に接続され、前記誘電層を介して前記第1磁性層に高周波を重畳させたパルス電圧を印加する。前記高周波の周波数は、書き込み動作時における前記第1磁性層の磁気共鳴周波数の1.94倍以上2.35倍以下である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1磁性層及び誘電層を含む積層体と、 前記積層体と電気的に接続され、前記誘電層を介して前記第1磁性層に高周波を重畳させたパルス電圧を印加する制御部と、 を備え、 前記高周波の周波数は、書き込み動作時における前記第1磁性層の磁気共鳴周波数の1.94倍以上2.35倍以下であることを特徴とする、磁気記憶装置。
IPC (5件)：
G11C 11/16 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08 ,  G11C 11/15
FI (5件)：
G11C11/16 240 ,  H01L27/105 447 ,  H01L43/08 Z ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 100Z
Fターム (31件)：
4M119AA07 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119CC09 ,  4M119DD10 ,  4M119DD17 ,  4M119DD32 ,  4M119HH01 ,  5F092AA15 ,  5F092AB06 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD13 ,  5F092AD23 ,  5F092AD24 ,  5F092AD28 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB31 ,  5F092BB33 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB55 ,  5F092BC46 ,  5F092BE13 ,  5F092BE14 ,  5F092BE21
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (2件)

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