赤外線検出素子およびその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人ドライト国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-106325
公開番号（公開出願番号）：特開2020-017718
出願日： 2019年06月06日
公開日（公表日）： 2020年01月30日
要約：

【課題】小型であり、かつ、赤外線をより高感度で検出することができる赤外線検出素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】赤外線検出素子10は、基板12と金属膜14とを備える。基板12は、赤外線IRを透過する。基板12の表面12aには凹部18が形成されている。金属膜14は、凹部18の内面18aを含む基板12の表面12aに設けられている。金属膜14は、基板12との界面でショットキー障壁を形成する。赤外線検出素子10の製造方法は、赤外線IRを透過する基板12の表面12aに凹部18を形成する凹部形成工程と、凹部18の内面18aを含む基板12の表面12aに金属膜14を形成する金属膜形成工程とを有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

赤外線を透過し、表面に凹部が形成された基板と、前記凹部の内面を含む前記基板の表面に設けられ、前記基板との界面でショットキー障壁を形成する金属膜とを備える赤外線検出素子。

IPC (2件)：

H01L 31/108 , G01J 1/02

FI (2件)：

H01L31/10 C , G01J1/02 C

Fターム (31件)：

2G065AA04 , 2G065AB02 , 2G065BA02 , 2G065BA34 , 2G065BB25 , 5F849AA05 , 5F849AB01 , 5F849AB03 , 5F849BA01 , 5F849BA02 , 5F849BA25 , 5F849BA28 , 5F849BB03 , 5F849CB05 , 5F849CB06 , 5F849CB07 , 5F849CB14 , 5F849CB18 , 5F849DA05 , 5F849DA44 , 5F849EA04 , 5F849FA05 , 5F849FA12 , 5F849HA15 , 5F849LA01 , 5F849XB04 , 5F849XB06 , 5F849XB24 , 5F849XB26 , 5F849XB39 , 5F849XB51

引用特許：

出願人引用 (2件)

光電変換素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-230570 出願人：キヤノン株式会社
フォトダイオードとその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-099074 出願人：日本電気株式会社

審査官引用 (2件)

光電変換素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-230570 出願人：キヤノン株式会社
フォトダイオードとその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-099074 出願人：日本電気株式会社

引用文献：

出願人引用 (1件)

"SI PROCESS COMPATIBLE NEAR-INFRARED PHOTODETECTOR USING AU/SI NANO-PILLAR ARRAY"

審査官引用 (1件)

"SI PROCESS COMPATIBLE NEAR-INFRARED PHOTODETECTOR USING AU/SI NANO-PILLAR ARRAY"

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