特許
J-GLOBAL ID：202003004170894862
超音波トランスデューサ、その製造方法および超音波撮像装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人 山王坂特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-226644
公開番号（公開出願番号）：特開2020-092293
出願日： 2018年12月03日
公開日（公表日）： 2020年06月11日
要約：
【課題】高感度な超音波トランスデューサを歩留まりよく提供する。【解決手段】空洞層105と、空洞層105の上下に位置する一対の電極103、107とを備える超音波トランスデューサ10は、一対の電極103、107の各上下に配置されている絶縁層と、空洞層105の上部に位置する絶縁層の少なくとも一部を上下方向に貫通している埋め込み孔109とを備える。超音波トランスデューサ10を上面から見たときに一対の電極103、107は、埋め込み孔109と重なる位置に、電極を構成しない非電極領域103a、107aを有している。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
空洞層と、前記空洞層の上下に位置する一対の電極とを備える超音波トランスデューサであって、
前記一対の電極の各上下に配置されている絶縁層と、
前記空洞層の上部に位置する絶縁層の少なくとも一部を上下方向に貫通している埋め込み孔とを備え、
前記超音波トランスデューサを上面から見たときに前記一対の電極は、前記埋め込み孔と重なる位置に、電極を構成しない非電極領域を有していることを特徴とする超音波トランスデューサ。
IPC (4件)：
H04R 19/00
, H04R 31/00
, A61B 8/14
, B82Y 30/00
H04R19/00 330
, H04R31/00 330
, A61B8/14
, B82Y30/00
4C601EE03
, 4C601GB03
, 4C601GB19
, 4C601GB41
, 5D019DD01
, 5D019FF04
, 5D019HH01
