特許

J-GLOBAL ID：202003004234214232

円偏光発光ダイオード

発明者： 西沢 望 ,  宗片 比呂夫
出願人/特許権者： 国立大学法人東京工業大学
代理人 (6件)： 青木 篤 ,  三橋 真二 ,  胡田 尚則 ,  出野 知 ,  高橋 正俊 ,  河野上 正晴
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-030657
公開番号（公開出願番号）：特開2020-136576
出願日： 2019年02月22日
公開日（公表日）： 2020年08月31日
要約：

【課題】低電流密度での純粋円偏光生成及び歩留まりが向上した円偏光発光ダイオードを提供する。【解決手段】ダブルヘテロ構造、前記ダブルヘテロ構造上に配置されたトンネル絶縁膜、及び前記トンネル絶縁膜上に配置された強磁性体電極を有する円偏光発光ダイオードであって、前記トンネル絶縁膜が、砒化アルミニウム層及び前記砒化アルミニウム層上に配置された酸化アルミニウム層を含み、前記ダブルヘテロ構造が、ガリウム、アルミニウム、及びヒ素を含み、且つ前記トンネル絶縁膜の前記砒化アルミニウム層に接する位置に配置された砒化ガリウム層を含む、円偏光発光ダイオード。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ダブルヘテロ構造、前記ダブルヘテロ構造上に配置されたトンネル絶縁膜、及び前記トンネル絶縁膜上に配置された強磁性体電極を有する円偏光発光ダイオードであって、 前記トンネル絶縁膜が、砒化アルミニウム層及び前記砒化アルミニウム層上に配置された酸化アルミニウム層を含み、 前記ダブルヘテロ構造が、ガリウム、アルミニウム、及びヒ素を含み、且つ前記トンネル絶縁膜の前記砒化アルミニウム層に接する位置に配置された砒化ガリウム層を含む、 円偏光発光ダイオード。

IPC (3件)：

H01L 33/36 ,  H01L 33/40 ,  H01L 29/43

FI (3件)：

H01L33/36 ,  H01L33/40 ,  H01L29/46

Fターム (28件)：

4M104AA05 ,  4M104AA07 ,  4M104BB36 ,  4M104BB37 ,  4M104BB39 ,  4M104CC00 ,  4M104DD29 ,  4M104DD35 ,  4M104DD77 ,  4M104EE02 ,  4M104EE12 ,  4M104EE16 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  4M104HH20 ,  5F241AA14 ,  5F241AA41 ,  5F241CA04 ,  5F241CA14 ,  5F241CA36 ,  5F241CA53 ,  5F241CA57 ,  5F241CA66 ,  5F241CA83 ,  5F241CA84 ,  5F241CA85 ,  5F241CA86 ,  5F241CA91

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 磁壁移動型スピン発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-171741   出願人：国立大学法人東京工業大学
• デュアル電極型スピン発光ダイオード及びレーザー
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-276273   出願人：国立大学法人東京工業大学
• 半導体光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-056224   出願人：日本電信電話株式会社
• 光半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-251960   出願人：株式会社東芝
• 特開昭56-090574
  

引用文献：

出願人引用 (2件)

• Pure circular polarization electroluminescence at room temperature with spin-polarized ligh
• Electrical Spin Injection in a Ferromagnet/Tunnel Barrier/Semiconductor Heterostructure