特許
J-GLOBAL ID：202003004496707019

エピタキシャル堆積プロセスのための注入アセンブリ

発明者：
大木 慎一

大木 慎一 について

, 
青木 裕司

青木 裕司 について

, 
森 義信

森 義信 について


出願人/特許権者：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド について


代理人 (9件)： 田中 伸一郎 ,  ▲吉▼田 和彦 ,  須田 洋之 ,  大塚 文昭 ,  西島 孝喜 ,  上杉 浩 ,  近藤 直樹 ,  那須 威夫 ,  鈴木 信彦
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2020-511426
公開番号（公開出願番号）：特表2020-532130
出願日： 2018年07月10日
公開日（公表日）： 2020年11月05日
要約：
一実施形態では、ガス導入インサートは、本体を有するガス分配アセンブリと、ガス分配アセンブリ内に形成された複数のガス注入チャネルであって、複数のガス注入チャネルの少なくとも一部がガス分配アセンブリに形成されたブラインドチャネルに隣接する、複数のガス注入チャネルと、複数のガス注入チャネルおよびブラインドチャネルの一方の側を境界付ける整流板であって、ブラインドチャネルの位置に対応する非穿孔部分を含む整流板とを含む。
請求項（抜粋）：
本体を有するガス分配アセンブリと、 前記ガス分配アセンブリ内に形成された複数のガス注入チャネルであって、前記複数のガス注入チャネルの少なくとも一部が前記ガス分配アセンブリに形成されたブラインドチャネルに隣接する、複数のガス注入チャネルと、 前記複数のガス注入チャネルおよび前記ブラインドチャネルの一方の側を境界付ける整流板であって、前記ガス分配アセンブリの前記ブラインドチャネルの位置に対応する位置に非穿孔部分を含む、整流板と を含むガス導入インサート。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/455
FI (2件)：
H01L21/205 ,  C23C16/455
Fターム (21件)：
4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA04 ,  4K030FA10 ,  4K030JA12 ,  4K030KA02 ,  4K030LA15 ,  5F045AA03 ,  5F045AB02 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC13 ,  5F045BB02 ,  5F045DP04 ,  5F045EF05 ,  5F045EF13
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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