特許

J-GLOBAL ID：202003004551512796

ギャップ制御方法及び電気特性測定方法

発明者： 宮下 守也 ,  前田 貴弘 ,  久保田 弘 ,  鈴木 裕巳 ,  橋新 剛 ,  小林 一博 ,  葛川 翔太郎 ,  松山 浩輝 ,  熊谷 祐希 ,  古田 正昭
出願人/特許権者： グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 ,  国立大学法人 熊本大学
代理人 (2件)： 木下 茂 ,  澤田 優子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-056967
公開番号（公開出願番号）：特開2020-161557
出願日： 2019年03月25日
公開日（公表日）： 2020年10月01日
要約：

【課題】プローブ電極と試料表面間のギャップ幅を正しく計測し、それにより試料の電気特性の測定精度を向上する。【解決手段】パルス光伝導法によるプローブ電極から試料への印加電圧V(t)と、前記試料の充電電圧v(t)と、の充電電圧比v(t)/V(t)を実測する工程と、電極全体と試料表面間の傾きθを考慮したギャップ幅Wに対する充電電圧比v(t)/V(t)の理想曲線を求める工程と、前記充電電圧比v(t)/V(t)の実測値と理想曲線とが一致する傾きθを特定する工程と、前記傾きθを考慮したギャップ容量Cgapを求める工程と、を備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

誘電体膜が形成された半導体の試料に対し所定のギャップ幅を空けてプローブ電極を配置する工程と、 パルス光伝導法による前記プローブ電極から前記試料への印加電圧V(t)と、前記試料の充電電圧v(t)と、の充電電圧比v(t)/V(t)を実測する工程と、 電極全体と試料表面間の傾きθを考慮したギャップ幅Wに対する充電電圧比v(t)/V(t)の理想曲線を求める工程と、 前記充電電圧比v(t)/V(t)の実測値と理想曲線とが一致する傾きθを特定する工程と、 前記傾きθを考慮したギャップ容量Cgapを求める工程と、を備え、 電極の直径をΦ、電極先端面を径方向にk個(kは2以上の整数)に等分割し、電極全表面積に占める領域の割合をαkとしたとき、電極全体と試料表面間の傾きθを考慮したギャップ幅Wkは、下記式により求められ、

IPC (2件)：

H01L 21/66 ,  G01R 27/26

FI (3件)：

H01L21/66 Q ,  H01L21/66 L ,  G01R27/26 C

Fターム (16件)：

2G028AA01 ,  2G028BB11 ,  2G028BC01 ,  2G028CG07 ,  2G028DH06 ,  2G028FK01 ,  2G028FK09 ,  2G028HN14 ,  4M106AA01 ,  4M106AA13 ,  4M106BA04 ,  4M106BA07 ,  4M106BA20 ,  4M106CB10 ,  4M106DH04 ,  4M106DH31

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開平4-132236
  
• 膜内イオン量測定方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-320706   出願人：大日本スクリーン製造株式会社
• 不純物量測定方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-134587   出願人：大日本スクリーン製造株式会社
• 特開昭64-082541
  

引用文献：

出願人引用 (1件)

• Noncontact evaluation for interface states by photocarrier counting