特許
J-GLOBAL ID：202003004654918740
基板処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
金本 哲男
, 萩原 康司
, 扇田 尚紀
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-125285
公開番号（公開出願番号）：特開2017-226898
特許番号：特許第6731798号
出願日： 2016年06月24日
公開日（公表日）： 2017年12月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】ハードマスクとして用いられるTiO2膜を熱ALD法により成膜する成膜方法であって、
基板上にTiCl4を吸着させる吸着工程と、
反応ガスを用いて前記吸着工程において吸着したTiCl4を酸化させTiO2膜を基板上に定着させる酸化工程と、を有し、
前記反応ガスはO3ガスであり、
前記酸化工程は、プロセス温度が200°C超280°C以下、O3ガス濃度が200g/Nm3以上、酸化時間が10s以上、の条件下で実施されることを特徴とする、成膜方法。
IPC (2件)：
C23C 16/40 ( 200 6.01)
, C23C 16/455 ( 200 6.01)
