特許
J-GLOBAL ID：200903065160121629

堆積前の表面調整方法

発明者：
ポマレデ クリストフェ エフ.

ポマレデ クリストフェ エフ. について

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ロバーツ ジェフ

ロバーツ ジェフ について

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シェロ エリック ジェイ.

シェロ エリック ジェイ. について


出願人/特許権者：
エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド

エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド について


代理人 (9件)： 三枝 英二 ,  掛樋 悠路 ,  小原 健志 ,  中川 博司 ,  舘 泰光 ,  斎藤 健治 ,  藤井 淳 ,  関 仁士 ,  中野 睦子
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-544761
公開番号（公開出願番号）：特表2004-523885
出願日： 2001年11月19日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：
後の核生成に敏感な堆積(例えばポリシリコン又はポリSiGe)及び吸着主導の堆積(例えば原子層堆積又はALD)の準備としての基板表面処理の方法が、本明細書に提供される。堆積の前に、非堆積プラズマ生成物によって表面を処理する(110、125)。処理された表面によって、ポリシリコン及びポリSiGeの核生成がより容易となり(例えばゲート電極220の場合)、又はALD反応物の吸着がより容易となる(例えばゲート誘電体260の場合)。表面処理によって、その後の堆積反応に対してより容易に影響を受ける、或いは堆積前のさらなる表面処理に対してより容易に影響を受ける表面部分が得られる。低温ラジカル処理で基板の表面終端を変えることにより、有利にも、明らかな厚みのいかなる層の堆積も伴うことなく、下の材料のバルク特性に著しい影響を与えることなく、その後の堆積が促進される。好ましくは10Å未満のバルク材料に、フッ素、塩素、特に窒素励起種を含み得る励起種が取り込まれる。
請求項（抜粋）：
部分的に形成された集積回路の表面上に膜を堆積させる方法であって、前記表面をプラズマの生成物に露出させることと、それによって前記表面の下のバルク特性に著しい影響を及ぼすことなく、表面終端を改質することと、前記表面終端を改質した後、その上に層を堆積させることとを含む方法。
IPC (1件)：
H01L21/205
FI (1件)：
H01L21/205
Fターム (32件)：
4K030AA05 ,  4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA09 ,  4K030BA29 ,  4K030BA35 ,  4K030BB03 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030LA15 ,  5F045AA08 ,  5F045AB03 ,  5F045AB31 ,  5F045AB40 ,  5F045AC00 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC03 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AE19 ,  5F045AF01 ,  5F045BB02 ,  5F045CA15 ,  5F045DP04 ,  5F045DQ10
引用特許：
審査官引用 (4件)
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