特許
J-GLOBAL ID：202003006322884038
昇圧回路及びそれを備えた不揮発性メモリ
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-226978
公開番号（公開出願番号）：特開2018-085828
特許番号：特許第6756590号
出願日： 2016年11月22日
公開日（公表日）： 2018年05月31日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第一入力端子と第一出力端子の間に接続された第一電荷転送トランジスタと、
前記第一入力端子とクロック端子との間に接続された昇圧容量と、
を備えた第一昇圧セルと、
第二入力端子に第一スイッチ素子の一方の端子を接続し、イネーブル端子に前記第一スイッチ素子の制御端子を接続し、前記第一スイッチ素子の他方の端子と、第二出力端子との間に接続された第二電荷転送トランジスタと、
前記第一スイッチ素子の他方の端子に接続された第二昇圧容量と、
前記イネーブル端子を第二スイッチ素子の制御端子に接続し、クロック端子と前記第二昇圧容量の他方の端子との間に接続された前記第二スイッチ素子と、
を備えた第二昇圧セルと、を備え、
1段目から最終段の前段までは前記第一昇圧セルを直列に接続し、最終段は2つの前記第二昇圧セルを並列に接続し、動作モードに応じて前記2つの第二昇圧セルの一方をオンさせ、他方をオフにする機能を備えることを特徴とする昇圧回路。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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