特許
J-GLOBAL ID：202003006585297900
超小型電子アセンブリの封止
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
田中 伸一郎
, ▲吉▼田 和彦
, 須田 洋之
, 松下 満
, 倉澤 伊知郎
, 山本 泰史
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-552212
公開番号（公開出願番号）：特表2020-515076
出願日： 2018年03月15日
公開日（公表日）： 2020年05月21日
要約：
技術及びデバイスの代表的な実装形態により、接合された超小型電子デバイスの結合部を封止するための封止部、並びに接合及び封止された超小型電子アセンブリが提供される。封止部は、結合された表面を封止するために、積層ダイ及びウエハの結合された表面に配設される。封止部は、様々な技術を使用して、接合された超小型電子デバイスの外部周辺部に配設されてもよく、又は周辺部内に配設されてもよい。
請求項（抜粋）：
超小型電子アセンブリを形成する方法であって、
第1の超小型電子構成要素の第1の絶縁表面を、第2の超小型電子構成要素の第2の絶縁表面に接合することであって、前記第1の絶縁表面及び前記第2の絶縁表面は、前記第1の絶縁表面及び前記第2の絶縁表面が接触する接合結合部を形成する、接合することと、
前記接合結合部の上に封止部を形成することであって、前記封止部は前記接合結合部を覆い、前記封止部は、金属材料を含み、かつ前記第1の超小型電子構成要素と前記第2の超小型電子構成要素との間の前記接合結合部を封止する、形成することと、を含む、方法。
IPC (3件)：
H01L 23/02
, B81C 3/00
, B81B 7/02
H01L23/02 C
, B81C3/00
, B81B7/02
3C081AA01
, 3C081BA03
, 3C081BA04
, 3C081BA21
, 3C081BA22
, 3C081BA30
, 3C081CA05
, 3C081CA13
, 3C081CA30
, 3C081CA31
, 3C081CA32
, 3C081DA11
, 3C081DA27
, 3C081DA28
, 3C081EA01
, 3C081EA21
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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