特許

J-GLOBAL ID：202003007656353501

磁気記憶装置

発明者： 白鳥 聡志 ,  大沢 裕一 ,  杉山 英行 ,  ブヤンダライ アルタンサルガイ ,  清水 真理子 ,  與田 博明
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (6件)： 日向寺 雅彦 ,  小崎 純一 ,  市川 浩 ,  白井 達哲 ,  内田 敬人 ,  竹内 功
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-215736
公開番号（公開出願番号）：特開2020-088013
出願日： 2018年11月16日
公開日（公表日）： 2020年06月04日
要約：

【課題】記憶密度が向上できる磁気記憶装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、磁気記憶装置は、第1絶縁部、第2絶縁部、第3絶縁部、第1導電部材、第1磁性素子及び第2磁性素子を含む。前記第1絶縁部から前記第3絶縁部に向かう第1方向において前記第2絶縁部は、前記第1絶縁部と前記第3絶縁部との間にある。前記第1導電部材は、前記第1絶縁部の少なくとも一部と前記第3絶縁部の少なくとも一部との間に設けられる。前記第1磁性素子は、前記第1絶縁部と前記第2絶縁部との間に設けられる。前記第1導電部材から前記第1磁性素子への方向は、前記第1方向と交差する第3方向に沿う。前記第2磁性素子は、前記第2絶縁部と前記第3絶縁部との間に設けられる。前記第1導電部材から前記第2磁性素子への方向は、前記第3方向に沿う。前記第1絶縁部の材料は、前記第2絶縁部の材料とは異なる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1絶縁部と、 第2絶縁部と、 第3絶縁部であって、前記第1絶縁部から前記第3絶縁部に向かう第1方向において前記第2絶縁部は、前記第1絶縁部と前記第3絶縁部との間にある、前記第3絶縁部と、 前記第1絶縁部の少なくとも一部と前記第3絶縁部の少なくとも一部との間に設けられた第1導電部材と、 前記第1絶縁部と前記第2絶縁部との間に設けられた第1磁性素子であって、前記第1導電部材から前記第1磁性素子への方向は、前記第1方向と交差する第3方向に沿う、前記第1磁性素子と、 前記第2絶縁部と前記第3絶縁部との間に設けられた第2磁性素子であって、前記第1導電部材から前記第2磁性素子への方向は、前記第3方向に沿う、前記第2磁性素子と、 を備え、 前記第1絶縁部の材料は、前記第2絶縁部の材料とは異なる、磁気記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/823 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08 ,  H01L 29/82

FI (3件)：

H01L27/105 447 ,  H01L43/08 Z ,  H01L29/82 Z

Fターム (22件)：

4M119AA08 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119CC05 ,  4M119CC10 ,  4M119EE03 ,  4M119JJ04 ,  5F092AA15 ,  5F092AB06 ,  5F092AC26 ,  5F092AD25 ,  5F092BB04 ,  5F092BB05 ,  5F092BB22 ,  5F092BB30 ,  5F092BB31 ,  5F092BB33 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BC03 ,  5F092CA03

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 抵抗性メモリアーキテクチャ及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2015-102280   出願人：クロスバー,インコーポレイテッド