特許
J-GLOBAL ID：202003007943440750
コンフォーマルな金属又はメタロイド窒化ケイ素膜の堆積方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (5件)：
青木 篤
, 三橋 真二
, 木村 健治
, 胡田 尚則
, 田中 直樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-517572
特許番号：特許第6730429号
出願日： 2016年10月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 500°C未満の温度で熱原子層堆積によりコンフォーマルなアルミニウムドープ窒化ケイ素誘電体膜を堆積するための方法であって、
a.反応器中に基材を提供する工程と、
b.AlCl3、トリメチルアルミニウム(TMA)、塩化メチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、及びそれらの組み合わせからなる群より選択されるアルミニウム前駆体を、前記アルミニウム前駆体を反応させて化学吸着層を提供するのに十分なプロセス条件下で前記反応器中に導入する工程と、
c.未反応のアルミニウム前駆体をパージして除去する工程と、
d.前記反応器中に窒素源を導入して、前記化学吸着層の少なくとも一部と反応させ、少なくとも1つの反応部位を提供する工程と、
e.パージガスで前記反応器をパージする工程と、
f.以下の式I〜IV:
で表される有機アミノシラン前駆体であって、式中、R1が、直鎖状C1〜C10アルキル基、分枝状C3〜C10アルキル基、直鎖状又は分枝状C3〜C10アルケニル基、直鎖状又は分枝状C3〜C10アルキニル基、C1〜C6ジアルキルアミノ基、電子求引基、C6〜C10アリール基、C1〜C10アルキルシリル基、及びシリル基から選択され、R2が、水素、直鎖状C2〜C10アルキル基、分枝状C3〜C10アルキル基、直鎖状又は分枝状C3〜C6アルケニル基、直鎖状又は分枝状C3〜C6アルキニル基、C1〜C6ジアルキルアミノ基、電子求引基、及びC4〜C10アリール基から選択され、n=1又は2、x=0、1、2、y=2、3であり、任意選択で、式I、III及びIV中のR1及びR2が共に結合して、置換若しくは非置換芳香族環又は置換若しくは非置換脂肪族環から選択される環を形成している有機アミノシラン前駆体を前記反応器中に導入する工程であって、前記有機アミノシラン前駆体が、前記基材の表面の少なくとも一部で反応して、化学吸着層を提供する工程と、
g.パージガスで前記反応器をパージする工程と、
h.前記反応器中に窒素源を導入して、前記化学吸着層の少なくとも一部と反応させ、少なくとも1つの反応部位を提供する工程と、
i.任意選択で、不活性ガスで前記反応器をパージする工程とを含み、x+yの合計が4以下であるが負の整数であることができない、方法。
IPC (3件)：
H01L 21/316 ( 200 6.01)
, C23C 16/42 ( 200 6.01)
, C23C 16/455 ( 200 6.01)
H01L 21/316 X
, C23C 16/42
, C23C 16/455
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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