特許
J-GLOBAL ID：200903058207248804

金属ケイ素窒化物の被着方法

発明者：
キム ミン-キュン

キム ミン-キュン について

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キム ムー-スン

キム ムー-スン について

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ヤン サン-ヒュン

ヤン サン-ヒュン について

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シンジアン レイ

シンジアン レイ について


出願人/特許権者：
エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド

エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド について


代理人 (6件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  永坂 友康 ,  小林 良博 ,  蛯谷 厚志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-159721
公開番号（公開出願番号）：特開2009-007670
出願日： 2008年06月18日
公開日（公表日）： 2009年01月15日
要約：
【課題】金属アミド、ケイ素前駆体及び窒素源ガスガスを前駆体として用いてプラズマ雰囲気下で循環式膜被着によって金属ケイ素窒化物膜を形成するための方法を提供する。【解決手段】金属アミド前駆体をパルス送りする工程、未反応金属アミドをパージ除去する工程、プラズマ雰囲気下で反応チャンバ内に窒素源ガスを導入する工程、未反応窒素源ガスをパージ除去する工程、ケイ素前駆体をパルス送りする工程、未反応ケイ素前駆体をパージ除去する工程、プラズマ雰囲気下で反応チャンバ内に窒素源ガスを導入する工程、及び未反応窒素源ガスをパージ除去する工程を含む被着方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
基材上に金属ケイ素窒化物膜を形成するための被着方法であって、 a)反応チャンバ内に蒸気状態で金属アミドを導入し、次に該金属アミドを、加熱されている基材上に化学吸着させる工程、 b)未反応金属アミドをパージして除去する工程、 c)金属(M)-N結合を作るためプラズマ雰囲気下で反応チャンバ内に窒素源ガスを導入する工程、 d)未反応窒素源ガスをパージして除去する工程、 e)N-Si結合を作るため反応チャンバ内に蒸気状態のケイ素前駆体を導入する工程、 f)未反応ケイ素前駆体をパージして除去する工程、 g)Si-N結合を作るためプラズマ雰囲気下で反応チャンバに窒素源ガスを導入する工程、及び h)未反応窒素源ガスをパージして除去する工程、 を含む被着方法。
IPC (3件)：
C23C 16/42 ,  C01B 21/06 ,  H01L 21/285
FI (3件)：
C23C16/42 ,  C01B21/06 N ,  H01L21/285 C
Fターム (33件)：
4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA10 ,  4K030BA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA20 ,  4K030BA22 ,  4K030BA29 ,  4K030BA38 ,  4K030EA01 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4M104BB24 ,  4M104BB25 ,  4M104BB27 ,  4M104BB28 ,  4M104BB29 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB36 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104GG16 ,  4M104HH20
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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