特許

J-GLOBAL ID：202003008489576745

光電変換素子

発明者： 花村 克悟 ,  磯部 和真 ,  宇野 智裕 ,  徳丸 慎司 ,  小林 孝之
出願人/特許権者： 国立大学法人東京工業大学 ,  日本製鉄株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人太陽国際特許事務所
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2019008198
公開番号（公開出願番号）：WO2019-168175
出願日： 2019年03月01日
公開日（公表日）： 2019年09月06日
要約：

光電変換素子自体の構造で光を選択的に反射することができる光電変換素子を提供する。 光電変換素子は、光起電力効果により光を電力に変換する半導体を用いた光電変換素子であって、半導体からなる半導体層と、半導体層の表面に形成された金属層である表側金属層と、半導体層の裏面に形成された金属層である裏側金属層と、を備え、表側金属層、半導体層および裏側金属層によってMSM構造の共振器が形成されている。

請求項（抜粋）：

光起電力効果により光を電力に変換する半導体を用いた光電変換素子であって、 前記半導体からなる半導体層と、前記半導体層の表面に形成された金属層である表側金属層と、前記半導体層の裏面に形成された金属層である裏側金属層と、を備え、 前記表側金属層、前記半導体層および前記裏側金属層によってMSM構造の共振器が形成されている、 光電変換素子。

IPC (2件)：

H01L 31/054 ,  H01L 31/07

FI (2件)：

H01L31/04 620 ,  H01L31/06 350

Fターム (8件)：

5F151AA08 ,  5F151BA18 ,  5F151CB08 ,  5F151CB15 ,  5F151DA05 ,  5F151FA16 ,  5F151FA23 ,  5F151GA03