特許
J-GLOBAL ID：202003009525178529
保護装置、半導体装置、及び製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
龍華国際特許業務法人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-041400
公開番号（公開出願番号）：特開2017-157747
特許番号：特許第6733218号
出願日： 2016年03月03日
公開日（公表日）： 2017年09月07日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 窪み、並びに、少なくとも一部が前記窪み内において離間して設けられる第1導体および第2導体を有する基体と、
固体状態で前記第1導体および前記第2導体の少なくとも一方と離間して設けられ、温度が融点に達したことに応じて溶融すると前記窪み内に流入して前記第1導体および前記第2導体の間を電気的に接続する導電材料と、
を備える保護装置。
IPC (4件)：
H01L 23/58 ( 200 6.01)
, H01L 25/07 ( 200 6.01)
, H01L 25/18 ( 200 6.01)
, H01L 23/12 ( 200 6.01)
H01L 23/56 C
, H01L 25/04 C
, H01L 23/12 F
