特許
J-GLOBAL ID：202003009707972387

レーザ加工方法、半導体デバイス製造方法及び検査装置

発明者：
坂本 剛志

坂本 剛志 について

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鈴木 康孝

鈴木 康孝 について

, 
佐野 いく

佐野 いく について


出願人/特許権者：
浜松ホトニクス株式会社

浜松ホトニクス株式会社 について


代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹 ,  柴山 健一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-189307
公開番号（公開出願番号）：特開2020-057741
出願日： 2018年10月04日
公開日（公表日）： 2020年04月09日
要約：
【課題】複数列の改質領域に渡る亀裂が半導体基板の表面側に十分に延びているか否かを確認することができるレーザ加工方法、半導体デバイス製造方法及び検査装置を提供する。【解決手段】検査装置10は、半導体基板21の内部に2列の改質領域12a,12bが形成されたウェハ20を支持するステージ2と、半導体基板21に対して透過性を有する光I1を出力する光源41と、半導体基板21を伝搬した光I1を通過させる対物レンズ43と、対物レンズ43を通過した光I1を検出する光検出部44と、改質領域12aと改質領域12bとの間の検査領域に、改質領域12aから裏面21b側に延びる亀裂14bの先端14eが存在するか否かを検査する制御部と、を備える。対物レンズ43は、検査領域内に裏面21b側から焦点Fを合わせる。光検出部44は、表面21a側から裏面21b側に半導体基板21を伝搬する光I1を検出する。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
表面及び裏面を有する半導体基板と、前記表面に形成された機能素子層と、を備えるウェハを用意し、複数のラインのそれぞれに沿って前記裏面側から前記ウェハにレーザ光を照射することにより、前記複数のラインのそれぞれに沿って前記半導体基板の内部に複数列の改質領域を形成する第1工程と、 前記複数列の改質領域のうち前記表面に最も近い第1改質領域と前記第1改質領域に最も近い第2改質領域との間の検査領域に、前記第1改質領域から前記裏面側に延びる亀裂の先端が存在するか否かを検査する第2工程と、を備え、 前記第1工程においては、前記複数列の改質領域に渡る亀裂が形成される条件で、前記複数のラインのそれぞれに沿って前記裏面側から前記ウェハに前記レーザ光を照射し、 前記第2工程においては、前記検査領域内に前記裏面側から焦点を合わせて、前記表面側から前記裏面側に前記半導体基板を伝搬する光を検出することにより、前記検査領域に前記先端が存在するか否かを検査する、レーザ加工方法。
IPC (5件)：
H01L 21/301 ,  B23K 26/00 ,  B23K 26/53 ,  B24B 7/00 ,  B24B 49/12
FI (5件)：
H01L21/78 B ,  B23K26/00 P ,  B23K26/53 ,  B24B7/00 Z ,  B24B49/12
Fターム (29件)：
3C034AA07 ,  3C034CA22 ,  3C034CB01 ,  3C034DD10 ,  3C043BA09 ,  3C043BA12 ,  3C043DD06 ,  4E168AE01 ,  4E168CA06 ,  4E168CA07 ,  4E168CB01 ,  4E168CB07 ,  4E168CB24 ,  4E168DA02 ,  4E168DA45 ,  4E168GA03 ,  4E168JA12 ,  4E168KA04 ,  4E168KA05 ,  5F063AA36 ,  5F063AA48 ,  5F063CB03 ,  5F063CB07 ,  5F063CB29 ,  5F063DD29 ,  5F063DE14 ,  5F063DE16 ,  5F063DE34 ,  5F063DE36
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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