特許
J-GLOBAL ID：202003010308087637
発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
松本 昂
, 岡本 知広
, 笠原 崇廣
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-217274
公開番号（公開出願番号）：特開2018-078143
特許番号：特許第6775889号
出願日： 2016年11月07日
公開日（公表日）： 2018年05月17日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 発光ダイオードチップの製造方法であって、
結晶成長用の透明基板上に発光層を含む複数の半導体層が形成された積層体層を有し、該積層体層の表面に互いに交差する複数の分割予定ラインによって区画された各領域にそれぞれLED回路が形成されたウエーハを準備するウエーハ準備工程と、
該ウエーハの裏面に各LED回路に対応して複数の凹部又は溝を形成するウエーハ裏面加工工程と、
内部に複数の気泡が形成された透明基板の表面及び裏面に該ウエーハの各LED回路に対応して複数の窪みを形成する透明基板加工工程と、
該ウエーハ裏面加工工程及び該透明基板加工工程を実施した後、該ウエーハの裏面に該透明基板の表面を貼着して一体化ウエーハを形成する一体化工程と、
該ウエーハを該分割予定ラインに沿って該透明基板と共に切断して該一体化ウエーハを個々の発光ダイオードチップに分割する分割工程と、
を備えたことを特徴とする発光ダイオードチップの製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/301 ( 200 6.01)
, H01L 21/304 ( 200 6.01)
, B24B 27/06 ( 200 6.01)
, B23K 26/364 ( 201 4.01)
, H01L 33/22 ( 201 0.01)
H01L 21/78 Q
, H01L 21/304 601 B
, H01L 21/304 601 S
, B24B 27/06 M
, B23K 26/364
, H01L 33/22
