特許
J-GLOBAL ID:202003010602665800

回路基板

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 河野 英仁 ,  河野 登夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-135249
公開番号(公開出願番号):特開2020-013895
出願日: 2018年07月18日
公開日(公表日): 2020年01月23日
要約:
【課題】複数の半導体素子を用いる場合、通電時に半導体素子に発生する熱を適宜分散させ、放熱の効率を高めることができる回路基板を提供する。【解決手段】複数のFET13の端子と接続する2つのバスバー111,112が一平面に設けられており、前記導電片同士の間に介在する絶縁領域114を備える電力回路30であって、前記複数のFETのうち、一群13A,13Cが固定される第1導電片111と、前記複数のFETのうち、他群13B,13Dが固定される第2導電片112とを備え、前記複数のFET13は、前記第1導電片111及び前記第2導電片112に交互に固定されている。【選択図】図4
請求項(抜粋):
複数の半導体素子の端子と接続する2つの導電片が一平面に設けられており、前記導電片同士の間に介在する絶縁部を備える回路基板であって、 前記複数の半導体素子のうち、一群が固定される第1導電片と、 前記複数の半導体素子のうち、他群が固定される第2導電片とを備え、 前記複数の半導体素子は、前記第1導電片及び前記第2導電片に交互に固定されている回路基板。
IPC (6件):
H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H05K 1/18 ,  H05K 1/02 ,  H05K 7/20 ,  H01L 23/12
FI (5件):
H01L25/04 C ,  H05K1/18 S ,  H05K1/02 Q ,  H05K7/20 T ,  H01L23/12 Z
Fターム (14件):
5E322AA11 ,  5E322AB02 ,  5E322AB11 ,  5E322EA10 ,  5E336AA12 ,  5E336CC31 ,  5E336CC55 ,  5E336DD02 ,  5E336EE01 ,  5E336GG03 ,  5E338CC06 ,  5E338CC08 ,  5E338CD10 ,  5E338EE02
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 電気接続箱
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2015-098903   出願人:矢崎総業株式会社
  • 電力用半導体モジュール
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平11-297876   出願人:日産自動車株式会社

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