特許
J-GLOBAL ID：202003011097296915
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-230502
公開番号（公開出願番号）：特開2018-088462
特許番号：特許第6737987号
出願日： 2016年11月28日
公開日（公表日）： 2018年06月07日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 SiCウエハの表面を研削する工程であって、前記表面に露出する範囲に5nm以上の厚さを有する破砕層が形成される工程と、
前記破砕層を覆う金属層を形成する工程と、
加熱によって前記金属層と前記破砕層を反応させることによって前記SiCウエハにオーミック接触するシリサイド層を形成する工程であって、前記金属層に覆われている範囲の前記破砕層の少なくとも一部がその厚さ方向全域においてシリサイド層に変化する工程、
を有する半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 29/41 ( 200 6.01)
, H01L 21/329 ( 200 6.01)
, H01L 29/872 ( 200 6.01)
H01L 21/28 301 S
, H01L 21/28 301 B
, H01L 21/28 B
, H01L 29/44 L
, H01L 29/86 301 P
, H01L 29/86 301 D
