特許
J-GLOBAL ID：202003011177285744
電極、電極の製造方法、および生体信号測定装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人 志賀国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-093760
公開番号（公開出願番号）：特開2020-185336
出願日： 2019年05月17日
公開日（公表日）： 2020年11月19日
要約：
【課題】絶縁性基材と導電性高分子層との密着性が高い電極およびその電極の製造方法を提供する。【解決手段】電極1は、絶縁性基材10と、絶縁性基材10の少なくとも一方の表面に積層された導電性中間層12と、導電性中間層12の絶縁性基材側とは反対側の表面に積層された導電性高分子層13とを有し、導電性中間層12は、導電性高分子層13よりも絶縁性基材10に対する親和性が高いことを特徴とする。電極の製造方法は、絶縁性基材10の少なくとも一方の表面に導電性中間層12を形成する導電性中間層形成工程と、導電性中間層12の絶縁性基材側とは反対側の表面に、導電性高分子層13をめっき法により形成する導電性高分子層形成工程とを、有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁性基材と、前記絶縁性基材の少なくとも一方の表面に積層された導電性中間層と、前記導電性中間層の前記絶縁性基材側とは反対側の表面に積層された導電性高分子層とを有し、前記導電性中間層は、前記導電性高分子層よりも前記絶縁性基材に対する親和性が高いことを特徴とする電極。
IPC (3件)：
A61B 5/040
, H01B 5/14
, H01B 1/12
A61B5/04 300W
, H01B5/14 Z
, H01B1/12 F
, H01B1/12 Z
, H01B1/12 G
, H01B1/12 E
, H01B1/12 C
4C127LL22
, 4C127LL30
, 5G307GA05
, 5G307GB02
